2.以N沟道MOSFET为例，它是在P型硅衬底上形成两个高掺杂浓度的N+源扩散区和N+漏扩散区，分别连接源极S和漏极D。源极与衬底内部相连，保持等电位。在外部电场的作用下，从P型衬底向N型沟道移动。3.当漏极接正电源，源极接负电源且VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS的增加，在源极和漏极之间形成带负电的少数载流子，形成导电沟道。当VGS超过开启电压VTN（通常约为+2V）时，N沟道MOSFET开始导电，漏极电流ID开始流动。4.国内N沟道MOSFET的典型产品包括3DO1、3DO2、3DO4（单栅管）和4DO1（双栅管）。