1. MOSFET根据导电方式的不同，可以分为增强型和耗尽型两种。增强型MOSFET在VGS=0时处于截止状态，而当施加正确的VGS时，多数载流子被吸引到栅极附近，形成导电沟道。耗尽型MOSFET在VGS=0时 already 存在沟道，而正确的VGS会增加沟道中的载流子，从而耗尽沟道中的载流子，导致管子截止。
2. 以N沟道MOSFET为例，它是在P型硅衬底上形成两个高掺杂浓度的N+源扩散区和N+漏扩散区，分别连接源极S和漏极D。源极与衬底内部相连，保持等电位。在外部电场的作用下，从P型衬底向N型沟道移动。
3. 当漏极接正电源，源极接负电源且VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS的增加，在源极和漏极之间形成带负电的少数载流子，形成导电沟道。当VGS超过开启电压VTN（通常约为+2V）时，N沟道MOSFET开始导电，漏极电流ID开始流动。
4. 国内N沟道MOSFET的典型产品包括3DO1、3DO2、3DO4（单栅管）和4DO1（双栅管）。
5. MOSFET对电磁干扰和静电非常敏感，因为其输入电阻高且栅-源极间电容小。即便是少量的电荷也可能在极间电容上积累高电压，损坏器件。为此，出厂时器件的引脚会绞合或封装在金属箔中，以保持栅极和源极等电位，防止静电积累。在不使用时，所有引脚应短接。在测量时需特别小心，并采取防静电措施。
