第一项突破是减成法钌互连技术。这一技术采用了新型金属钌作为互连材料，通过引入空气间隙，成功降低了线间电容，提高了互连的微缩性能。这不仅提高了异构集成的可行性，还带来了成本效益，有望在更小的制程节点上得到广泛应用。第二项突破是选择性层转移技术。这是一种异构集成解决方案，能够以更高的灵活性集成超薄芯粒。与传统技术相比，SLT技术显著缩小了芯片尺寸，提高了纵横比，并有望将封装吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装。第三项突破是硅基RibbonFET CMOS晶体管技术。Intel展示了栅极长度仅为6纳米的硅基RibbonFET晶体管，这一进展显著缩短了栅极长度，减少了沟道厚度，并抑制了短沟道效应，达到了业内领先水平。这一技术突破为推动摩尔定律的进一步发展提供了关键支持。