Intel在制程工艺方面取得了四项重大突破，这些突破将对未来的集成电路设计与生产产生深远影响。
第一项突破是减成法钌互连技术。这一技术采用了新型金属钌作为互连材料，通过引入空气间隙，成功降低了线间电容，提高了互连的微缩性能。这不仅提高了异构集成的可行性，还带来了成本效益，有望在更小的制程节点上得到广泛应用。
第二项突破是选择性层转移技术。这是一种异构集成解决方案，能够以更高的灵活性集成超薄芯粒。与传统技术相比，SLT技术显著缩小了芯片尺寸，提高了纵横比，并有望将封装吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装。
第三项突破是硅基RibbonFET CMOS晶体管技术。Intel展示了栅极长度仅为6纳米的硅基RibbonFET晶体管，这一进展显著缩短了栅极长度，减少了沟道厚度，并抑制了短沟道效应，达到了业内领先水平。这一技术突破为推动摩尔定律的进一步发展提供了关键支持。
第四项突破是用于微缩的2D GAA晶体管的栅氧化层技术。Intel在2D GAA晶体管制造方面取得了新进展，通过研发栅氧化层模块，成功将晶体管的栅极长度缩小到了30纳米。此外，该研究还涉及了2D TMD，这种材料未来有望在先进晶体管工艺中替代硅，为半导体行业带来新的发展机遇。
总的来说，Intel的这四项制程工艺突破涵盖了新材料应用、异构封装技术、全环绕栅极晶体管创新等多个关键领域，将有力推动半导体行业的技术进步和产业发展。
