如果您有一个具体的型号，如“4N60C”，那么可以提供该型号的详细参数。以“4N60C”为例，这可能是一个N沟道增强型高压功率MOSFET，通常用于AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器、高压H桥PWM马达驱动等场合。其典型值可能包括ID（漏极电流）为4A，VDS（漏极-源极电压）为600V，RDS(on)（通态电阻）为1.97Ω，以及VGS（栅极-源极电压）为30V。如果您能提供更多的信息或具体的型号，我可以帮助您找到更详细的参数信息。