薄层的单晶薄膜生长技术。在一定的条件下，在硅单晶的衬底片上，沿单晶的结晶方向生长一层具有一定导电类型，电阻率、厚度、晶格结构与体单晶一致的新单晶层，按结构分类同质外延——即外延层在结构与性质上与衬底材料相同，例如N/N+，P/P+异质外延——即外延层在结构与性质上与衬底材料不同，例：SOI(绝缘衬底上外延)按外延层的厚度和电阻率分类厚度和电阻率均可按客户要求精确控制，按外延生长方法分类直接法——不经过中间化学反应，硅原子直接从源转移到衬底片上形成外延层，例：真空溅射法，分子束外延（物理法）液相外延等等。