1.确定DDR的相关参数，包括时钟频率、时序参数、电压等，并在控制器中进行配置。2.对DDR进行预充电操作，即将DRAM芯片中的电容充电至指定电压值，以保证后续的读写操作的稳定性。3.进行读写延迟的校准，即通过对读写时序的测试和调整，保证读写操作的正确性和稳定性。4.进行写入到DRAM中的数据的校验，以确保数据的正确性。5.对初始的DDR设置进行调整和测试，以达到最佳性能和稳定性的目标。全志是一家专业的芯片设计公司，其产品涉及到嵌入式系统、智能硬件等领域。