一般来说，酸腐蚀可以去除几纳米至数十微米范围内的硅片厚度。具体去除的厚度取决于制造工艺的要求和设计规范。例如，在光刻过程中，可能需要通过酸腐蚀来定义晶圆上的图形形状，这通常需要去除几百纳米至数微米的硅片厚度。需要注意的是，酸腐蚀过程需要严格的控制和监测，以确保所去除的硅片厚度符合要求，并且不会对晶圆上的其他结构和元件产生不良影响。制造厂商通常会根据特定工艺和要求进行工艺优化和参数调整，以实现所需的去除厚度。半导体硅片的酸腐蚀过程可以去除几纳米至数十微米的硅片厚度，具体的去除厚度取决于制造工艺和设计需求。