1、结构：nand内存单元被组织成矩阵形式，多个单元共享同一组位线和字线（Word Line）。nor每个内存单元是单独连接到位线（Bit Line）的，因此它可以实现对每一个比特进行读取，支持真正的随机访问（Random Access），类似于SRAM或DRAM的工作方式。2、性能特性：nor闪存的读取速度通常比nand稍快一些，因为它允许单个比特的直接访问。nand闪存的写入速度较快，特别是在以块为单位进行页编程时；而擦除操作也更快，且擦除单位通常是较大的区块。nand闪存的擦写次数（P/E cycles）普遍比nor闪存高得多。