LPDDR5T维持了与LPDDR5X相同的1.01V至1.12V的工作电压范围，但它在更低的电压下实现了更高的速度，因此能够进一步减少功耗和发热量。这一技术专为移动设备设计，旨在满足5G网络和人工智能等应用对高速数据处理的需求，以此提供更加流畅的系统性能和更好的用户体验。LPDDR5T采用了HKMG（高介电常数金属栅）工艺，这一工艺有助于减少DRAM晶体管中的漏电流，增加电容，从而进一步提升产品性能。作为LPDDR5X和未来LPDDR6之间的桥梁，LPDDR5T不仅填补了市场上的技术空白，也为下一代内存技术的研究和应用提供了宝贵的经验和基础。