存取周期是指连续两次的存储器操作（如两个连续的读操作）之间所需要的最小时间间隔。这个时间间隔包括存取时间和复原时间。对于非破坏性读出方式，复原时间是指存取信息所需的稳定时间；对于破坏性读出方式，复原时间则是指刷新所用的又一次存取时间。存储器的两个基本操作为“读出”与“写入”，是指将存储单元与存储寄存器（MDR）之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为“取数时间TA”。两次的存取操作之间所需最短时间称为“存储周期TMC”。半导体存储器的存取周期一般为6ns至10ns。