研究重点在于通过改变冲洗周期，以快速搅动晶片表面，避免增加冲洗时间，同时确保晶片处理速度不超过2000 rpm。实验设计采用田口L16筛选，测试了包括冲洗速度、时间、循环次数等在内的八个因素。结果显示，循环次数、开始冲洗速度以及时间对减少缺陷影响显著，尤其是循环次数和开始冲洗速度，它们对缺陷减少的贡献超过60%。通过验证实验，最佳冲洗配方显著减少了缺陷数量和范围，与标准冲洗工艺相比，缺陷减少高达61%。此外，研究还考虑了表面调节剂在减少线塌陷相关缺陷中的作用，尽管存在SC干燥时间的优化问题，但整体上，新冲洗方法展示了显著的缺陷减少效果，为提高产量和降低成本提供了新的可能。