flash RTP退火
来源：动视网
责编：小OO
时间：2024-08-03 04:50:52
flash RTP退火
flashRTP是一种单片热处理设备，可将硅片温度快速升至200-1300℃的工艺所需温度，升/降温速率一般为20-250℃/s，降温速率快。RTP在快速热退火中的应用最为普遍。在离子注入后需要利用RTP设备来修复离子注入损伤，激活掺杂离子并有效控制杂质扩散。快速热退火主要有尖峰退火（Spike-anneal）、灯退火（LampAnnealing）、激光退火（LaserAnnealing）和闪光退火（FlashAnnealing）四种。
导读flashRTP是一种单片热处理设备，可将硅片温度快速升至200-1300℃的工艺所需温度，升/降温速率一般为20-250℃/s，降温速率快。RTP在快速热退火中的应用最为普遍。在离子注入后需要利用RTP设备来修复离子注入损伤，激活掺杂离子并有效控制杂质扩散。快速热退火主要有尖峰退火（Spike-anneal）、灯退火（LampAnnealing）、激光退火（LaserAnnealing）和闪光退火（FlashAnnealing）四种。
flashRTP是一种单片热处理设备，可将硅片温度快速升至200-1300℃的工艺所需温度，升/降温速率一般为20-250℃/s，降温速率快。RTP在快速热退火中的应用最为普遍。在离子注入后需要利用RTP设备来修复离子注入损伤，激活掺杂离子并有效控制杂质扩散。快速热退火主要有尖峰退火（Spike-anneal）、灯退火（LampAnnealing）、激光退火（LaserAnnealing）和闪光退火（FlashAnnealing）四种。
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flashRTP是一种单片热处理设备，可将硅片温度快速升至200-1300℃的工艺所需温度，升/降温速率一般为20-250℃/s，降温速率快。RTP在快速热退火中的应用最为普遍。在离子注入后需要利用RTP设备来修复离子注入损伤，激活掺杂离子并有效控制杂质扩散。快速热退火主要有尖峰退火（Spike-anneal）、灯退火（LampAnnealing）、激光退火（LaserAnnealing）和闪光退火（FlashAnnealing）四种。
