晶硅电池生产中,刻蚀抛光后的检测手段有哪些?
来源：动视网
责编：小OO
时间：2024-08-02 18:02:43
晶硅电池生产中,刻蚀抛光后的检测手段有哪些?
1、电参数测量仪，电参数测量仪要用来测定晶硅电池的电力参数。2、暗锁相红外热成像，用于定位线路短路，ESD，缺陷，氧化损坏，缺陷晶体管和二极管以及器件闩锁。
导读1、电参数测量仪，电参数测量仪要用来测定晶硅电池的电力参数。2、暗锁相红外热成像，用于定位线路短路，ESD，缺陷，氧化损坏，缺陷晶体管和二极管以及器件闩锁。
电参数测量仪，暗锁相红外热成像等。
1、电参数测量仪，电参数测量仪要用来测定晶硅电池的电力参数。
2、暗锁相红外热成像，用于定位线路短路，ESD，缺陷，氧化损坏，缺陷晶体管和二极管以及器件闩锁。
晶硅电池生产中,刻蚀抛光后的检测手段有哪些?
1、电参数测量仪，电参数测量仪要用来测定晶硅电池的电力参数。2、暗锁相红外热成像，用于定位线路短路，ESD，缺陷，氧化损坏，缺陷晶体管和二极管以及器件闩锁。
