晶格能的主要影响因素是什么
来源：动视网
责编：小OO
时间：2022-10-10 18:29:30
晶格能的主要影响因素是什么
晶格能的主要影响因素是离子半径、离子电荷以及离子的电子层构型。1、离子半径越小，晶格能越大。例如，随着卤离子半径增大，卤化物的晶格能降低。2、离子电荷，电荷越高，晶格能越大。3、离子的电子层构型，离子外层电子越多，越容易发生离子极化，相应晶格能会下降。
导读晶格能的主要影响因素是离子半径、离子电荷以及离子的电子层构型。1、离子半径越小，晶格能越大。例如，随着卤离子半径增大，卤化物的晶格能降低。2、离子电荷，电荷越高，晶格能越大。3、离子的电子层构型，离子外层电子越多，越容易发生离子极化，相应晶格能会下降。
晶格能的主要影响因素是离子半径、离子电荷以及离子的电子层构型。
1、离子半径越小，晶格能越大。例如，随着卤离子半径增大，卤化物的晶格能降低；
2、离子电荷，电荷越高，晶格能越大。
3、离子的电子层构型，离子外层电子越多，越容易发生离子极化，相应晶格能会下降。
晶格能的主要影响因素是什么
晶格能的主要影响因素是离子半径、离子电荷以及离子的电子层构型。1、离子半径越小，晶格能越大。例如，随着卤离子半径增大，卤化物的晶格能降低。2、离子电荷，电荷越高，晶格能越大。3、离子的电子层构型，离子外层电子越多，越容易发生离子极化，相应晶格能会下降。
