ROM的选型

ROM用来存储程序代码，系统配置参数及系统运行过程中需要记录的各种信息。

目前常用的存储类型有Serial Flash、串行F-RAM、NAND Flash等。

FLASH：在线进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。低功耗、大容量，可整片或分扇区在线编程和擦除，通常用于存放程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

NOR FLASH的特点是芯片内执行(XIP， Execute In Place就位执行)，这样应用程序可以直接在FLASH闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的存储单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

接口差别：

NOR带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行存取数据，各个产品或厂商的方法个不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

容量和成本：

NAND的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

NOR占据了容量1-16MB闪存市场的大部分，而NAND只是用在8-128MB的产品当中，这也就说明了NOR主要应用于代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

同时NAND受到位反转和坏块的影响其单元尺寸几乎是NOR FLASH的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了成本。NAND中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR FLASH的擦写次数是十万次，因此NAND更具有优势。，需要ECC算法和标记坏块对这些现象进行相应处理。

寿命：

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。但位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。

坏块处理：

NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。

NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

易于使用：

可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。

由于需要I/O接口，NAND要复杂的多。各种NAND器件的存取方法因厂家而已。

在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师决不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

软件支持：

当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作是，通常需要驱动程序，也就是闪存技术驱动程序（MTD），NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TureFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

ONENAND是针对消费类电子和下一代移动手机市场而设计的，一种高可靠性嵌入式存储设备。其集成了SRAM的缓存和逻辑接口，既实现NOR Flash的高速读取速度，又保留了NAND-Flash的大容量数据存储的优点。基于ONENAND的芯片组的主要目标将是3G电话。写速度为17MB/s的这种存储器能保证对超过HSDPA规定的连续数据流无线下载。除多媒体手机设计外，ONENAND肯定是混合硬盘用非易失性缓冲器一个有价值的选择。目前，采用60nm工艺技术的芯片可提供高达2Gb的存储容量。

ONENAND/NAND/ Nor 三种Flash的区别

ATMEL的Serial flash（AT45XXX  Data Flash，AT25XXX  BIOS Flash）：

K9XXXXXXXX-XXXXXXX，适合大批量数据存储。

XX：代表存储容量，存储容量等级包括：4M/8M/16M/32M/M/128M/256M/512M和1G/2G/4G/8G/16G/24G/32G/48G/G/96G/128G/256G/384G/512G。

供电电压有1.8V，3.3V，5V三个常用等级。