ESD静电放电保护元件

ESD

ElectroStatic Discharge Protection Devices

ElectroStatic Discharge Protection Devices

静电放电保护元件

静电放电保护元件

1.结构

专用于静电放电保护的过压保护器件，存在分立式和阵列式两种，内部主要是有TVS的阵列构成。

2.特点

专用于ESD防护的限压型过压保护器

反应速度小于0.5ns；

导通击穿电压低；

体积小，集成度高，可以同时保护多条数据线路；

一般电压规格有2.8V、3.3V、5V、12V、15V、24V、36V；

电容值低，可达0..4pF，是理想的数据线保护器材；

漏电流低，一般在几个µA甚至更低；

封装多样化有SOT-323 SOT-23 SOT-143 SOT-353 SOT-363 SOT23-6L SOT23-6L SOIC-08 SOIC-16 SOD-923 SOD-723 SOD-523 SOD-323 SOD-123。

ESD U-I特性曲线3.技术参数

P PPM（Peak Pulse Power 额定脉冲峰值功率）：可施加的不引起ESD器件失效的脉冲峰值功率最大值。

V RWM（Reverse Stand-off V oltage截止电压）：ESD元件无明显动作的最大电压

V BR（Breakdown V oltage击穿电压）：在规定的脉冲直流电流I BR或接近发生雪崩的电流条件下，ESD浅见两端的电压

I BR（Breakdown Current 击穿电流）：测试V BR大小的脉冲直流电流。

V C（Maximum Clamping V oltage 钳位电压）：施加规定波形的脉冲峰值电流I PP时，ESD器件两端测得的峰值电压

I R（Reverse Leakage 漏电流）：在截止电压V RWM下，流过ESD器件I/O口的电流。

C J（Typical Capacitance典型电容值）：ESD端口间的极间电容值。

4.命名方式

SET23A05L02

S：表示电容为标准型，电容值大于30pF（L：电容值大于5pF，小于30pF）

（U：电容值小于5pF）E：表示功率，用A，B，C，D…依次表示小于100W，200W，300W，400W…；

T23：表示封装为SOT-23；

A：表示为单向保护（C表示双向）；

05：表示截止电压为5V；

L02：表示对地保护线路数。

5.封装类型

T32 SOT-323 T23 SOT-23

T14 SOT-143 T35 SOT-353

T36 SOT-363 T25 SOT23-5L

T26 SOT23-6L S08 SOIC-08

S14 SOIC-14 S16 SOIC-16

D92 SOD-923 D72 SOD-723

D52 SOD-523 D32 SOD-323

D12 SOD-123

6.应用

专用于静电放电保护的限压型过压保护器件，可以用在各种电子产品，集成电路，对低能量的浪涌也有一定的保护作用。

7.选型规则

1.截止电压要大于线路上的最大正常工作电压；

2.最大箝位电压要低于被保护器件的最大安全电压；

3.高频电路中，电容值大小不要影响线路正常工作；

4.瞬态功率要大于外界有可能出现的最大异常瞬态功率；

5.封装大小是否适合于线路的设计与安装原则