ROM、RAM、Flash memory的区别(表格版)

来源：动视网责编：小OO 时间：2025-09-24 16:48:04

ROM、RAM、Flash memory的区别(表格版)

存储设备存储器特点RAMFlashMemoryROM中文名称（RandomAccessMemory）的全名为随机存取器FLASH存储器又称闪存ROM（ReadOnlyMemory）的全名为只读存储器电源关闭数据是否保留否是是主要分类SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）NORFlash和NANDFlash型PROM、EPROM、E2PROM速度较快较慢ROM不同ROM特点MaskROMPROMEPROME2PROMFlashROM写入次数一次性由厂家写入数据，用户无法修改出厂并

推荐度：

点击下载本文 文档为doc格式

导读存储设备存储器特点RAMFlashMemoryROM中文名称（RandomAccessMemory）的全名为随机存取器FLASH存储器又称闪存ROM（ReadOnlyMemory）的全名为只读存储器电源关闭数据是否保留否是是主要分类SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）NORFlash和NANDFlash型PROM、EPROM、E2PROM速度较快较慢ROM不同ROM特点MaskROMPROMEPROME2PROMFlashROM写入次数一次性由厂家写入数据，用户无法修改出厂并

存储设备

存储器

特点	RAM	Flash Memory	ROM
中文名称	（Random Access Memory）的全名为随机存取器	FLASH存储器又称闪存	ROM（Read Only Memory）的全名为只读存储器
电源关闭数据是否保留	否	是	是
主要分类	SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）	NOR Flash和NAND Flash型	PROM、EPROM、E2PROM
速度	较快		较慢

ROM

不同ROM

特点	Mask ROM	PROM	EPROM	E2PROM	Flash ROM
写入次数	一次性由厂家写入数据，用户无法修改	出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据	通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复写入	通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢	结构简单、控制灵活、编程可靠、加电擦写快捷的优点、而且集成度可以做得很高，它综合了：不会断电丢失（NVRAM），快速读取，点可擦写编程（E2PROM）
产品实例				Intel的28系列、Winbond公司的W27-29系列及AMD公司的29系列等	U盘（NAND Flash）

Flash ROM

存储器

特点	NOR Flash		NAND Flash
性能比较	1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度； 2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多； 3、NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。 4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。
接口差别	1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。 2、NAND Flash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NAND Flash结构可以取代硬盘或其他设备。
容量和成本	1、NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash的一半，由于生产过程更为简单，NAND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。 2、NOR Flash容量一般较小，通常在1MB~8MB之间。而NAND Flash只是用在8MB以上的产品当中，这也说明了NOR Flash主要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。NAND Flash在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场所占份额最大。
可靠性和耐用性	寿命(耐用性)	NAND Flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash的读写次数是十万次。典型的NAND Flash块尺寸要比NOR型闪存小8倍。
	位交换	NAND Flash发生的次数要比NOR Flash多 Flash Memory器件都受位交换现象的困扰。
	块坏处理	NAND Flash中坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND Flash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
易用性	可以非常直接地使用NOR Flash，可以像其他内存那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND Flash要复杂得多。各种NAND的存储方法因厂家而异。
软件支持	不需要任何的软件支持		需要驱动程序，也包括内存技术驱动程序（MTD）
市场定位	用于数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域，NOR Flash也被称为代码闪存（Code Flash）。		用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡、U盘等领域。正是如此，NAND Flash也被称为数据闪存（Data Flash）。

RAM

不同SRAM

特点	SRAM	DRAM	DDRAM（基于SRAM）
全称	Static RAM，静态随机存储器	Dynamic RAM，动态随机存储器	Double Data Rate SDRAM，双倍速率随机存储器
存储速度	较快	较慢
成本	较高	较低
技术			双倍预取技术
	DDRAM技术采用差分方式，DDRAM比SDRAM多一倍的传输速率和内存宽度。

ROM、RAM、Flash memory的区别(表格版)

存储设备存储器特点RAMFlashMemoryROM中文名称（RandomAccessMemory）的全名为随机存取器FLASH存储器又称闪存ROM（ReadOnlyMemory）的全名为只读存储器电源关闭数据是否保留否是是主要分类SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）NORFlash和NANDFlash型PROM、EPROM、E2PROM速度较快较慢ROM不同ROM特点MaskROMPROMEPROME2PROMFlashROM写入次数一次性由厂家写入数据，用户无法修改出厂并

推荐度：

点击下载本文 文档为doc格式

热门焦点

ROM、RAM、Flash memory的区别(表格版)

ROM、RAM、Flash memory的区别(表格版)

ROM、RAM、Flash memory的区别(表格版)

最新推荐

猜你喜欢

热门推荐