TDDB测试结构以及TDDB测试方法

来源：动视网责编：小OO 时间：2025-09-24 14:51:59

TDDB测试结构以及TDDB测试方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN1009817A（43）申请公布日2017.02.15（21）申请号CN201610947342.3（22）申请日2016.10.26（71）申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区张江开发区高斯路568号（72）发明人吴奇伟;尹彬锋;周柯;高金德（74）专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人智云（51）Int.CIH01L23/544;H01L21/66;权利要求说明书说明书

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导读（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN1009817A（43）申请公布日2017.02.15（21）申请号CN201610947342.3（22）申请日2016.10.26（71）申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区张江开发区高斯路568号（72）发明人吴奇伟;尹彬锋;周柯;高金德（74）专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人智云（51）Int.CIH01L23/544;H01L21/66;权利要求说明书说明书

（19）中华人民共和国国家知识产权局

	（12）发明专利申请
		（10）申请公布号 CN1009817A（43）申请公布日 2017.02.15

（21）申请号 CN201610947342.3

（22）申请日 2016.10.26

（71）申请人上海华力微电子有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

（72）发明人吴奇伟;尹彬锋;周柯;高金德

（74）专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人智云

（51）Int.CI

H01L23/544;

H01L21/66;

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

TDDB测试结构以及TDDB测试方法

（57）摘要

本发明提供了一种TDDB测试结构以及TDDB测试方法。根据本发明的TDDB测试结构包括：并联的多个待测试TDDB测试结构，其中并联的多个待测试TDDB测试结构的支路的连线在满足预定条件时熔断；其中并联的多个待测试TDDB测试结构的第一并联端口连接测试电压，并联的多个待测试TDDB测试结构的第二并联端口接地。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2017-02-15	公开	公开
2017-02-15	公开	公开
2017-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2019-04-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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TDDB测试结构以及TDDB测试方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN1009817A（43）申请公布日2017.02.15（21）申请号CN201610947342.3（22）申请日2016.10.26（71）申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区张江开发区高斯路568号（72）发明人吴奇伟;尹彬锋;周柯;高金德（74）专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人智云（51）Int.CIH01L23/544;H01L21/66;权利要求说明书说明书

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