[1题] 设有一个具有20位地址和32位字长的存储器,问:
(1)该存储器能存储多少个字节的信息?
(2)如果存储器由512K×8的 SRAM芯片组成,需要多少片?
(3)需要多少地址作为芯片选择?
[解]
(1)该存储器能存储220×32=220×22×8=222×8=4MB
(2)(1024K×32)/(512K×8)=(1024/512)×(32/8)=2×4=8(片)
(3)需要1根地址线作为片选。
A19
A18
~
A0
R/W
D31
~
D0
CS
CS
512K×8
512K×8
[2题]已知某位机主存采用半导体存储器,其地址码为26位,若使用256K×16位的DRAM芯片组成该机允许的最大主存空间,并选用模板块结构形式,问:
(1)若每个模板块为1024K×位,共需要几个模板?
(2)每个模板块共有多少片DRAM?
(3)主存共需多少片DRAM?CPU如何选择各模块板?
[解]:
(1)226×=26×220×=M×=(×1024K)×
需要的板的块数=(×1024K/1024K)×(/)=(块)
(2)每个模板需要的256K×16位的芯片数
=(1024K/256K)×(/16)=4×4=16(片)
(3)每个主存需要×16=1024(片)DRAM
板内地址为A0~A19,每个板需要一个片选,共需个选择信号,所以用6-译码器,即A20~A25作为译码地址线输入,产生个板选信号。
[3题]用16K×8位的DRAM芯片构成K×32位存储器,要求:
(1)画出该存储器的组成逻辑图。
(2)设存储器读/写周期为0.5μs,CPU在1μs内至少要访问内存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新最大时间间隔是多少?全部刷新一遍所需要的实际刷新时间是多少?
(1) (K×32)/(16K×8)=(K/16K)×(32/8)
=4(组容量扩展)×4(片堆叠)
Y3(11)
A15
A14
A13
~
A0
R/W
D31
~
D0
2-4
译
码
器
Y2(10)
Y1(01)
Y0(00)
CS
CS
CS
CS
16K×8
16K×8
16K×8
16K×8
(2)CPU要1μ内访问内存一次(频繁)整个存储器的平均读写与单个存储芯片的读写周期差不多,采用异步刷新方式比较合适。
16K采用128×128阵列,设刷新最大时间间隔为2ms=2000μS则刷新时间间隔
为2000/128=15.6μS,所以刷新信号周期可取15μS.
刷新一次所用时间为128*15=1920μS=1.92mS
[4题]有一个1024K×32位的存储器,由128 K×8位的DRAM芯片组成。问:
(1)总共需要多少DRAM芯片?
(2)此存储体组成框图。
(3)采用异步刷新方式,如果单元刷新间隔不超过8 mS,则刷新周期(一行)是多少?
解:
(1)需要(1024K/128K) ×(32/8)=8(组)×4(片堆叠)=32(片)
(2)存储器组成框图
Y7(111)
3-8
译
码
器
。。。
A19
A18
A17
A16
~
A0
R/W
D31
~
D0
Y2(010)
Y1(001)
Y0(000)
。。。
CS
CS
CS
CS
128K×8
128K×8
128K×8
128K×8
(2)新周期即单芯片刷新时间间隔
128K=27×210=217=28×29=256(行) ×512(列)
刷新周期=8mS/256=8000μS/256=31.25μS
[5题]要求用256K×16位SRAM芯片设计1024K ×32位的存储器,SRAM芯片有两个控制端:当=0 有效选中该片,当执行读操作,执行写操作。
解:需要(1024K/256K) ×(32/16)=4(组字扩展) ×(2片位扩展)
A19
A18
A17
~
A0
R/W
D31
~
D0
Y3(11)
2-4
译
码
器
Y2(10)
Y1(01)
Y0(00)
CS
CS
CS
CS
256K×16
256K×16
256K×16
256K×16
[6题] 用32K×8的 EPROM 组成128K×16位的只读存储器,试问:
(1)数据寄存器多少位?
(2)地址寄存器多少位?
(3)总共需要多少片 EPROM芯片?
(4)画出此存储器组成框图。
解:
(1)数据寄存器16位
(2)地址寄存器17位
(3)共需要(128K/32K) ×(16/8)=(4组字扩展) ×(2片位扩展)=8(片)
(4)存储器框图
Y3(11)
2-4
译
码
器
A16
A15
A14
~
A0
RD
D15
~
D0
Y2(10)
Y1(01)
Y0(00)
CS
CS
CS
CS
32K×8
32K×8
32K×8
32K×8
[7题] 某计算机中,已知配有一个地址空间为0000H~3FFFH的ROM区域.现在再用一种 RAM芯片(8K×8)形成40K×16的RAM区域,起始地址为6000H. 假设 RAM芯片有片选和信号控制, CPU的地址总线为 A15-A0,数据总线为 D15-D0,控制信号为 R/W(读/写), (访存),要求:
(1)画出地址译码方案.
(2)将 ROM与RAM同CPU连接.
解: ROM------0000~3FFFH 片内地址需要A0~A13 14根地址线.
RAM------(40K/8K) ×(16/8)=5(组字扩展) ×2(片位扩展)
片内地址需要A0~A12 13根地址线
Y7(111)
3-8
译
码
器
G
Y6(110)
Y5(101)
A15
A14
A13
MREQ
A12
~
A0
R/W
D15
~
D0
Y4(100)
Y3(011)
Y1(001)
Y2(010)
Y0(000)
E000H~
FFFFH
C000H~
DFFFH
A000H~
BFFFH
8000H~
9FFFH
6000H~
7FFFH
CS
CS
CS
CS
CS
CS
16K×16
0000H~
3FFFH
8K×8
8K×8
8K×8
R/W
8K×8
8K×8
16位数据总线
8. 设存储器容量为M,字长为位,模块数m=8,分别用顺序和交叉方式进行组织,存储周期T=100ns ,数据总线宽度为位,总线传送周期为τ=50ns.求:顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少?
解:顺序存储器和交叉存储器连续读8个字的信息总量
q= bit ×8=512 bit
顺序存储器读出8个字所需时间为
t2=mT=8×100=800nS=8×10-7S
顺序存储器的带宽为
w2=q/t2= 512/(8×10-7)=×107(bit/s)=0M
交叉存储器读出8个字所需时间为
t1=T+(m-1)τ=100ns+7×50ns=450nS=4.5×10-7S
交叉存储器的带宽为
w1=q/t1= 512/(4.5×10-7)=114×107(bit/s)=1140M
[9题] CPU 执行一段程序,cache完成存取次数为2420次,主存完成存取次数为80次,已知 cache的存储周期为40ns,主存存储周期为240ns,求cache/主存系统的效率和平均访问时间.
命中率为
平均访问时间
效率
[10题] 已知cache存储周期为40ns ,主存存储周期为200ns, cache/主存系统平均访问时间为50 ns,求 cache的命中率是多少?
由得