Am29LV160

16 兆 (2 M × 8位/ 1 M × 16位）

CMOS 3.0 伏安只引导扇区闪存

单电源操作

— 全电压范围： 2.7 到 3.6 伏

— 调节电压范围： 3.0 到 3.6 伏阅读

和写入操作，并同

兼容性高性能 3.3 伏微处理器s 

关于 0.35 µm工艺

制造s 

支持常见的闪存接口

(CFI) s

高性能

— 全电压范围：快速存取时间为纳秒 90 

— 调节电压范围：访问S作为时代的 80 纳秒

快速

超低功耗（在

5 兆赫典型值）

— 200 nA的自动休眠模式电流

— 200 nA的待机模式电流

— 9 毫安电流阅读

— 20 硕士班/擦除当前

灵活的部门架构

— 16 一个字节，2 8 字节，1 32 字节，和

31  Kbyte的部门（字节的模式）

— 8 kword的一，二 4 kword的，一 16 kword的，和

31 32 kword的部门（字模式）

— 支持全芯片擦除

— 扇区保护功能：

A 锁定一个部门

防止任何程序或擦除该部门

行业可以被锁定在系统或通过

编程设备

临时机构撤消特色

操作硬件方法允许在代码

改变先前锁定部门

s 

解锁绕道程序命令

— 降低总体规划时

多个程序发出的命令序列，

顶部或底部启动块配置

提供

嵌入式算法

— 嵌入擦除算法自动

预先把和擦除整个芯片或任何指定的部门

组合

— 嵌入式程序算法自动

写入和验证在

指定地址资料程序中

s每写周期的最低 1,000,000 

部门

保证s 

包选项

— 48球 FBGA 

— 48针 TSOP 

— 44针 SO 

s 

CFI （通用闪存接口）兼容

— 提供设备的具体资料

系统，使主机软件轻松

重新配置为不同的闪存器件

S与 JEDEC 标准

— 引脚和软件

兼容性与单

电源闪存

— 高级无意中写保护

相适应的活动

数据＃投票和切换位

— 提供一个检测

编程或擦除操作完成

软件方法的探讨

就绪/忙＃引脚 (RY/BY#) 

— 提供一个检测

编程或擦除周期结束（不

44引脚 SO) 

s 

擦除挂起硬件方法/擦除简历

— 挂起一擦除操作读取数据，

数据或程序，一个不被

抹去部门，然后恢复擦除操作s 

硬件复位引脚 (RESET#) 

— 硬件的方法来重置设备

概述 描述介绍

Am29LV160B是 16 兆位， 3.0 伏只闪存 2,097,152 字节或字 1,048,576 组织

。该

器件采用48球 FBGA, 44针 SO, 和48针

TSOP 封装。这个词范围内的数据（× 16）于

DQ15–DQ0; 字节宽的（x8）数据 DQ7–DQ0. 

显示这个装置的设计与编程标准系统 3.0 伏 V CC 供应系统出现。 A 12.0 V V PP 或 5.0 V CC 

是不需要写或擦除操作。该设备还可以在标准方案

EPROM 程序员医学。 该器件提供了 80, 90, 和 120 ns的存取时间，允许高速微处理器，不受等待状态。为了消除总线争用的设备具有的芯片使 (CE#), 写使能(WE#) (OE#) 和输出使能控制。 

该装置只需要1 

下单 3.0 伏电源燮- 为读写功能层

。国内赫内尔- ated和电压调节提供了编程和擦除操作。 该Am29LV160B指令集完全兼容瓦特它hthe 

J E D E C - p在克乐的OW é遥感upp阮文黎 F 拉上海规范之。 

命令写入命令使用标准的微处理器写时序。内容作为输入到内部状态机控制擦除和编程写周期内部也锁存地址和所需的编程

数据和擦除歌剧

tions。读取数据的设备进行类似

来自其他闪存或 EPROM 设备阅读。 

设备编程时通过执行计划

命令序列。这启动嵌入式

计划

算法—an内部算法的

的自动

matically倍，脉冲宽度和验证方案

适当的细胞保证金。该

解锁绕道

模式facili - 

塔特斯更快的编程时间只需要2 

写周期，而不是4个方案的数据。 

设备擦除时通过执行擦除的COM - 

m与序列。这启动嵌入式擦除

的

算法—an内部算法，自动预先

方案的数组（如果它不是已经编）是- 

脱颖而出执行擦除操作。在擦除时，

设备自动倍擦除脉冲宽度和

验证正确的细胞保证金。 

主机系统可以检测程序是否或

擦除操作完成后通过观察 RY/BY# 

脚，或通过阅读 DQ7 （数据＃轮询）和 DQ6 

（切换）

状态位。后一个方案

或擦除周期

已经完成，设备已准备好读取阵列

数据或接受其他命令。 

的

扇区擦除架构

让内存部门

被删除，不影响其他部门

数据内容编程。该设备完全

删除时，从工厂发货。 

硬件数据保护

措施包括低 V 

CC 

探测器会自动抑制写操作杜尔- 

安泰权力过渡。在

硬件部门保护

功能禁用

记忆的任何部门都结合编程和擦除操作。这可

实现在系统或通过编程设备。 

的

擦除挂起/擦除简历

功能使用户搁置擦除任何一段时间读取，数据或程序数据，任何是不擦除选定行业。真正的背景擦除可这样可以达到的硬件 RESET# 针

终止任何进行中的运作和复位内部状态机阅读阵列的数据。该 RESET# 脚可连接至系统复位电路。 A 从而也将系统复位复位装置，使系统微处理器阅读从闪存开机固件。 该器件提供两种省电功能。当地址已被一指定时间稳定，器件进入自动睡眠模式。 该系统还可以放入

待机模式的设备。 电力消耗都大大减少

这些模式。 AMD公司’s闪存技术相结合的Flash 

年记忆造经验，生产的最高水平的质量，可靠性和成本效益。 

该器件电擦除一个扇区内的所有位

通过福勒-诺德海姆同时隧道。在

数据是使用热电子注入编程。

字/字节配置

的 BYTE# 引脚控制设备是否数据 I/O 

引脚 DQ15–DQ0 工作在字节或字组态- 

和灰。如果 BYTE# 引脚设置 ‘1’, 在逻辑器件中

字配置， DQ15–DQ0 活跃和控制

由 CE# 和 OE#. 领导如果 BYTE# 引脚设置 ‘0’, 在逻辑器件是字节配置，唯一的数据 I/O 引脚 DQ0–DQ7 是交流

tive和 CE# 和 OE#. 控制数据 I/O 引脚

DQ8–DQ14 是三态，而 DQ15 针是

一对 LSB (A-1) 地址函数的输入。 

在 V IH 主要 . 的 BYTE# 脚确定是否取消

副产出字或字节数组数据。 

内部状态机设置为读取阵列

数据后，器件上电，或在一个硬件复位。 

这将确保没有的纪念- 

奥里内容虚假的变化而发生的权力过渡。否

命令是在这种模式下必须取得阵列

数据。标准微处理器读周期，由于- 

设备上的地址输入亲

达斯设备上的数据输出有效数据SERT的有效地址。该

设备仍然启用，直到读了COM - 

m与登记内容变更访问。 

查看“Reading”阵列数据的更多信息。请参考

到 AC 读操作的时序specifica - 

tions表和图 13 的时序图。 I 

中

CC1 

在 DC 特性表代表了数组数据读取积极电流

租金标准。 

阅读阵列数据

要读取的输出数组数据，系统必须

驱动 CE# 和 OE# 引脚 V 

IL 

. CE# 需求的是电力

控制和选择设备。 OE# 是输出控制

和门阵列的数据输出引脚。 WE# 应重

书写命令/命令序列

要编写一个命令或命令序列（在- 

cludes编程数据到设备和擦除的存储器

部门），系统必须驱动 WE# 和

CE# 到 V 

IL 

, 和 OE# 到 V 

IH 

. 

节目业务， BYTE# 针决定

设备是否接纳

程序数据字节或单词。参照”“Word/Byte配置为

更多信息。 

该器件具有1 

解锁绕道

模式facili - 

大老更快的程序。一旦设备进入取消

锁定绕道模式，只需要两个写

方案周期的一个字或字节，而不是四个。在“Word/Byte 

程序命令序列”节对

详情编程数据到设备使用标准和

解锁绕道命令序列。 

一个擦除操作可以擦除一个扇区，多秒- 

职责范围，或整个设备。表 2 和 3 说明

地址空间，每个部门占用。 A “sector广告

服饰”所需的唯一

选择一个部门的地址位组成。 “Command定义的”节

对一个部门或擦除整个芯片，或

暂停/恢复擦除操作细节。在系统

自选写入命令本身- 

序列中，该器件进入自动选择模式。该

系统可以读出跨

宇空寄存器（这是分开的存储阵列自动选择代码）

关于 DQ7–DQ0. 读周期时序标准适用于本

模式。请参阅”“Autoselect模式和“Autoselect 

命令序列”节以获取更多信息。 

I 

CC2 

在 DC 特性表代表交流

tive为写模式电流规范。该 “AC 

特色”部分包含写操作时序规格

表和时序图。 

位在 DQ7–DQ0. 标准读周期时间，并 I 

CC 

阅读规格适用。参照“Write操作

状态”更多的信息，并 “AC Characteris - 

抽动”的时序图。 

待机模式

当系统没有读取或写入设备，

它可以放置在待机模式下的设备。在此

模式，电流消耗大大降低，而

输出均处于高阻抗状态，不知疲倦- 

的 OE# 输入挂件。 该器件进入待机模式时， CMOS CE# 和 RESET# 引脚都在 V 

CC ±0.3 V. （注举行，这是一个更受的电压范围比V IH .) 如果 CE# 和 RESET# 是举行 V IH  ，但不属于V CC ±0.3 V, 的设备将处于待机模式，但待机电流将更大。该设备需要标准访问时间（t CE ) 为读访问时

设备在待机模式要么是这些，然后才

准备读取数据。

如果该设备是在删除或方案

取消选择明，设备消耗的有功电流，直到

操作完成。在 DC 特性表， I 

CC3 和 I CC4 

下列国家代表货物内的待机电流规范。 

自动睡眠模式

自动睡眠模式，最大限度地降低闪存芯片

能源消耗。该设备自动启用此模式时地址保持吨ACC + 30 ns的稳定。自动睡眠模式的 CE#, WE#, 和 OE# 控制信号。计时标准提供新的地址访问时，地址变更数据。而在睡眠模式，输出数据被锁存，并始终可用系统。 I CC4 在 DC 特性表研究epresen给付日é非盟马蒂奇系统性红斑狼疮的EP模é柯耳鼻喉科规范。 

编程和擦除操作状态

在擦除或编程操作，系统可能会

检查阅读状态

RESET#: 硬件复位引脚介绍

RESET# 引脚提供了复位亭阵列数据读取设备硬件的方法。当系统驱动 RESET# 引脚 V IL 至少一吨RP , 时期的设备

立即终止中

正在进行的任何行动，tristates所有数据输出引脚，并忽略所有

读/写试图为 RESET# 

时间脉搏。该器件还重置内部状态马

茅根阅读阵列的数据。该操作是在- 

terrupted应该重新开始准备，一旦设备

接受另一个命令序列，以确保数据

完整性。 

当前是减少了对 RESET# 

脉冲持续时间。当 RESET# 是 V 

SS 

±0.3 V, 举行的装置

提请 CMOS 待机电流 (I 

CC4 

). 如果 RESET# 举行

在 V 

IL 

但不属于 V 

SS 

±0.3 V, 待机电流

更大。 

的 RESET# 脚可连接至系统复位电路的

cuitry。 A 从而也将系统复位复位闪存

内存，使系统能够读取开机

固件从快闪记忆体。 

如果 RESET# 是在一个程序或擦除运算

断言关合作，仍然是一个脚的 RY/BY# “0” （繁忙），直到

内部复位操作完成，这需要一个T 

READY 

时间算法在嵌入式（）。该

系统可以监视 RY/BY# 从而遏制矿山

是否复位操作完成。如果 RESET# 是

断言当一个程序或擦除操作不前

ecuting (RY/BY# “1”), 引脚复位操作

在一个吨

READY 

时间完成（不是在嵌入- 

副执行干事算法）。该系统可以读取后

的 RH 引脚返回到 RESET# 

V 

IH 

参阅 . 特性 AC 的PA - 

显得非常表和时序图图 RESET# 数据吨

14 

。 

输出禁止模式

当 OE# 输入在 V 

IH 

, 从器件输出的是

禁用。输出引脚被置于高阻抗-