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电子技术基础复习题

来源:动视网 责编:小OO 时间:2025-09-23 23:59:02
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电子技术基础复习题

1、N型半导体的多子是__________B_______.A)空穴B)自由电子C)5价杂质元素D)3价杂质元素2、PN结中进行着的两种载流子运动:________A___.A)多子的扩散和少子的漂移B)多子的漂移和少子的扩散C)多子的复合和少子的扩散D)多子的扩散和少子的复合3、测得某硅晶体管各电极对地电压为:VC=6VVB=0.7VVE=0V,该晶体管工作在什么状态?A)放大区B)饱和区C)截止区4、符号:的逻辑含义是___________A)与B)或C)与非D)或非5、电可擦除可编程只读
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导读1、N型半导体的多子是__________B_______.A)空穴B)自由电子C)5价杂质元素D)3价杂质元素2、PN结中进行着的两种载流子运动:________A___.A)多子的扩散和少子的漂移B)多子的漂移和少子的扩散C)多子的复合和少子的扩散D)多子的扩散和少子的复合3、测得某硅晶体管各电极对地电压为:VC=6VVB=0.7VVE=0V,该晶体管工作在什么状态?A)放大区B)饱和区C)截止区4、符号:的逻辑含义是___________A)与B)或C)与非D)或非5、电可擦除可编程只读
1、N型半导体的多子是__________ B _______.

A) 空穴       B) 自由电子    C)5价杂质元素     D)3价杂质元素   

2、PN结中进行着的两种载流子运动:________ A ___.

A)多子的扩散和少子的漂移         B)多子的漂移和少子的扩散 

C)多子的复合和少子的扩散        D)多子的扩散和少子的复合

3、测得某硅晶体管各电极对地电压为:VC=6V   VB=0.7V  VE=0V,该晶体管工作在什么状态?

A)放大区     B)饱和区   C)截止区     

4、符号:

的逻辑含义是___________

A)与    B)或    C)与非      D)或非

5、电可擦除可编程只读存储器是            

A)SDRAM     B)FPGA    C)E2PROM    D)CPLD

6、将下列二进制数转换为等值的十六进制数和等值的十进制数。

(1)(10010111)2                        (2)(1101101)2    

(3)(0.01011111)2                        (4)(11.001)2    

7、用逻辑代数的基本公式和常用公式将下列逻辑函数化为最简与或形式。

(1)

(2)

8、已知主从结构JK触发器J、K和CP的电压波形如图所示,试画出Q、端对应的电压波形。设触发器的初始状态为Q=0。

9、电路如图1所示,其输入电压u1和u2的波形如图2所示,二极管导通电压为0.7V。试画出输出电压u3的波形,并标出幅值。

      图1                                       图2

10、已知逻辑函数的真值表,写出对应的逻辑函数式。

1、B

2、A

3、A

4、A

5、C

6、

(1)(10010111)2=(97)16                 1.5

=(151)10               1

(2)(1101101)2 =(6D)16                 1.5

=(109)10               1

(3)(0.01011111)2=(0.5F)16             1.5

=(0.37109375)10    1

(4)(11.001)2=(3.2)16                     1.5

=(3.125)10                  1

7、

(1)             2.5

                =A+B                2.5

(2)              5

8.

9、

10、对应的逻辑函数式为

        

=MN+NP+PQ  

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1、N型半导体的多子是__________B_______.A)空穴B)自由电子C)5价杂质元素D)3价杂质元素2、PN结中进行着的两种载流子运动:________A___.A)多子的扩散和少子的漂移B)多子的漂移和少子的扩散C)多子的复合和少子的扩散D)多子的扩散和少子的复合3、测得某硅晶体管各电极对地电压为:VC=6VVB=0.7VVE=0V,该晶体管工作在什么状态?A)放大区B)饱和区C)截止区4、符号:的逻辑含义是___________A)与B)或C)与非D)或非5、电可擦除可编程只读
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