
一、选择题:
1. 已知变压器二次电压为V,负载电阻为RL,则半波整流电路中二极管承受的反向峰值电压为( )。
A. B. C. D.
2. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示,则此场效应管的类型是( )。
A. 增强型PMOS B. 增强型NMOS C. 耗尽型PMOS D. 耗尽型NMOS
3. 需要一个阻抗变换电路,要求输入电阻大,输出电阻小,应选用( )负反馈。
A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联
4. 功率放大电路的效率是指( )
A.不失真输出功率与输入功率之比 B.不失真输出功率与电源供给功率之比
C.不失真输出功率与管耗功率之比 D.管耗功率与电源供给功率之比
5. 集成运放的输出级一般采用互补对称放大电路是为了( )
A.增大电压放大倍数 B.稳定电压放大倍数
C.提高带负载能力 D. 减小线性失真
6. 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于( )时处于正偏导通状态。
A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降
7. 图示放大电路中,已知I1>>IBQ,UBQ>>UBEQ,则当温度升高时,( )。
A.ICQ基本不变 B. ICQ减小 C. ICQ增大 D.UCEQ增大
8. 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。
A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移
9. 为了展宽频带,应引入( )负反馈。
A. 直流 B. 交流 C. 串联 D. 并联
10. 某双极型三极管多级放大电路中,测得A=25, A=-10 ,A1,则可判断这三级电路的组态分别是( )。
A. 共射极、共基极、共集电极 B. 共基极、共射极、共集电极
C. 共基极、共基极、共集电极 D. 共集电极、共基极、共基极
11. 乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真的原因是( )
A.输入电压信号过大 B.三极管电流放大倍数太大
C.晶体管输入特性的非线性 D.三极管电流放大倍数太小
12. 放大电路A、B的放大倍数相同,但输入电阻、输出电阻不同,用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大,在负载开路条件下测得A的输出电压小,这说明A的( )。
A. 输入电阻大 B. 输入电阻小 C. 输出电阻大 D.输出电阻小
13. 欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入( )负反馈。
A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联
14. 某放大器的中频电压增益为40dB,则在上限频率fH处的电压放大倍数约为( )倍。
A. 43 B. 100 C. 37 D. 70
15. 设放大器的信号源内阻为RS,负载电阻为RL,输入、输出电阻分别为Ri、Ro,则当要求放大器恒压输出时,应满足( ) 。
A. Ro >>RL B. Ro < A . 放大 B. 饱和 C. 截止 D. 无法确定 二、判断题: 1. 单端输出的长尾式差分放大电路,主要靠公共发射极电阻引入负反馈来抑制温漂。( ) 2. 引入负反馈可以消除输入信号中的失真。( ) 3. 功率放大电路中,输出功率越大,三极管的管耗也越大。( ) 4. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。 5. 只有直接耦合的放大电路中三极管的参数才随温度而变化,电容耦合的放大电路中三极管的参数不随温度而变化,因此只有直接耦合放大电路存在零点漂移。( ) 三、填空题: 1. 桥式整流电容滤波电路中,滤波电容值增大时,输出直流电压 ,负载电阻值增大时,输出直流电压 。 2. 反馈主要用于振荡等电路中, 反馈主要用于改善放大电路的性能。 3. 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。 4. 场效应管是利用 效应,来控制漏极电流大小的半导体器件。 5. 半导体中有 和 两种载流子参与导电,其中 带正电,而 带负电。 6. 理想集成运放中存在虚断是因为差模输入电阻为 ,流进集成运放的电流近似为 7. 某两级三极管放大电路,测得输入电压有效值为2mV,第一级和第二级的输出电压有效值均为0.1V,输出电压和输入电压反相,输出电阻为30,则可判断第一级和第二级放大电路的组态分别是 和 。 8. 已知甲、乙两个放大电路的开路输出电压均为5V,甲电路的短路输出电流为2mA,乙电路接5.1k时输出电压为2.5V,则可得甲电路的输出电阻为 ,乙电路的输出电阻为 。 四、分析计算题: 1. 如图所示电路的静态工作点合适,电容值足够大,试指出V1、V2所组成电路的组态,写出、Ri和Ro的表达式。 2. 电路如图(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ=4V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。
