硅片等级分类及标准

一、优等品(Ⅰ类片)

1、物理、化学特性

型号:P      晶向〈100〉±1°；

  氧含量: ≤1.0×1018at/cm3；

  碳含量: ≤5×1016at/cm3；

  少子寿命:τ=1.3-3.0μs(在测试电压≥20mv下裸片的数据)；

  电阻率: 0.9-1.2、1.2-3.0、3.0-6.0Ω·cm；

  位错密度：≤3000个/cm2；

2、几何尺寸

  边长：125×125±0.5mm；

  对角：150×150±0.5mm；

  同心度：任意两弧的弦长之差≤1mm;

  垂直度：任意两边的夹角90°±0.3°；

  厚度：200±20μm; (中心点厚度≥195μm,边缘四点厚度≥180 μm)

          180±20μm; (中心点厚度≥175μm,边缘四点厚度≥160 μm)

  TTV：≤30μm;

弯曲度：≤40μm；

3、表面指标

线痕：无可视线痕；

  目视表面：无沾污、无水渍、染色、白斑、指印等；

  无崩边、无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲；

二、合格品（Ⅱ类片）

1、物理化学特性

型号:P      晶向〈100〉±1°；

氧含量: ≤1.0×1018at/cm3；

碳含量: ≤5×1016at/cm3；

少子寿命:τ=1.0-1.2μs(在测试电压≥20mv下裸片的数据)；

电阻率:0.5-0.8Ω·cm；

位错密度：≤3000个/cm2；

2、几何尺寸

  边长：125×125±0.5mm；

对角：150×150±0.5mm；

  同心度：任意两弧的弦长之差≤1.5mm;

垂直度：任意两边的夹角90°±0.3°；

  厚度：200±20μm;(中心点厚度≥195μm,边缘四点厚度≥180 μm)

180±20μm;(中心点厚度≥175μm,边缘四点厚度≥160 μm)

TTV：≤30μm;

弯曲度：≤40μm；

3、表面指标

   线痕：无明显线痕、触摸无凹凸感。

   崩边范围：崩边口不是“V”型、长×深≤1×0.5mm，个数≤1个/片；无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲；

三、等外品（Ⅲ类片）

1、物理、化学特性

  型号:PN      晶向〈100〉±3°；

  氧含量: ≤1.0×1018at/cm3；

  碳含量: ≤5×1016at/cm3；

  少子寿命:τ＜1.0μs(在测试电压≥20m下裸片的数据)；         

电阻率: ≤0.5Ω·cm；

位错密度：＞3000个/cm2；   

2、几何尺寸

边长：125×125±1.0mm；

对角：150×150±1.0mm；

同心度：任意两弧的弦长之差≤1.5mm;

垂直度：任意两边的夹角90°±0.5°；

厚度：＜160μm

3、表面指标

  有明显线痕、触摸有凹凸感。

说明：只要满足第三条“等外品（Ⅲ类片）”的任意一项就判为不合格品。

品 管 部

2008年11月11日