一、填空题：（每空1分 共40分）
6、单极型晶体管又称为 场效应（MOS） 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管，正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。
8、MOS管在不使用时应避免 栅 极悬空，务必将各电极短接。
1、PN结正偏时（ 导通 ），反偏时（ 截止 ），所以PN结具有（ 单向 ）导电性。
2、漂移电流是（ 反向 ）电流，它由（ 少数 ）载流子形成，其大小与（ 温度 ）有关，而与外加电压（ 无关 ）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ 零 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ 无穷大 ），等效成断开；
4、三极管是（ 电流 ）控制元件，场效应管是（ 电压 ）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ 正偏 ），集电结（ 反偏 ）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ 增加 ），发射结压降（ 减小 ）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ 共射极 ）、（ 共集电极 ）、（ 共基极 ）放大电路。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（ 共模 ）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（ 差模 ）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 交越 ）失真，而采用（ 甲乙 ）类互补功率放大器。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（ 小于近似等于一 ），输入电阻（ 大 ），输出电阻（ 小 ）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（ 零点 ）漂移，也称（ 温度 ）漂移，所以它广泛应用于（ 集成 ）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（ 调幅 ），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（ 载波信号 ）。
1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上和数值上离散的信号叫做 数字 信号。
2、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。在 逻辑 关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。
4、用来表示各种计数制数码个数的数称为 基数 ，同一数码在不同数位所代表的 位权 不同。十进制计数各位的 基 是10， 位权 是10的幂。
5、 8421 BCD码和 2421 码是有权码； 余3 码和 格雷 码是无权码。
3、将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 反馈 信号。使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 负 反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 正 反馈。放大电路中常用的负反馈类型有 电压串联 负反馈、 电流串联 负反馈、 电压并联 负反馈和 电流并联 负反馈。
4、射极输出器具有 电压增益 恒小于1、接近于1， 输入信号 和 输出信号 同相，并具有 输入电阻 高和 输出电阻 低的特点。
7、十进制整数转换成二进制时采用 除2取余 法；十进制小数转换成二进制时采用 乘2取整 法。
8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成 二进 制，然后再根据转换的 二进制 数，按照 三位 一组转换成八进制；按 四位 一组转换成十六进制。
9、8421BCD码是最常用也是最简单的一种BCD代码，各位的权依次为 8 、 4 、
2 、 1 。8421BCD码的显著特点是它与 二进制 数码的4位等值 0～9 完全相同。
10、 原码 、 反码 和 补码 是把符号位和数值位一起编码的表示方法，是计算机中数的表示方法。在计算机中，数据常以 补码 的形式进行存储。
8、JK触发器的次态方程为 ；D触发器的次态方程为 。
9、触发器有两个互非的输出端Q和，通常规定Q=1，=0时为触发器的 “1” 状态；Q=0，=1时为触发器的 “0” 状态。
1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。 （错）
2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （对）
5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （错）
6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。 （对）
7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错）
8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。 （错）
9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 （错）
10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 （错）
2、选择题（每空2分 共30分）
1、仅具有置“0”和置“1”功能的触发器是（ C ）。
A、基本RS触发器 B、钟控RS触发器
C、D触发器 D、JK触发器
2、由与非门组成的基本RS触发器不允许输入的变量组合为（ A ）。
A、00 B、01 C、10 D、11
3、钟控RS触发器的特征方程是（ D ）。
A、 B、
C、 D、
4、仅具有保持和翻转功能的触发器是（ B ）。
A、JK触发器 B、T触发器 C、D触发器 D、Tˊ触发器
5、触发器由门电路构成，但它不同门电路功能，主要特点是（ C ）
A、具有翻转功能 B、具有保持功能 C、具有记忆功能
1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（ B ）。
A、逻辑加 B、逻辑乘 C、逻辑非
2．、十进制数100对应的二进制数为（ C ）。
A、1011110 B、1100010 C、1100100 D、11000100
3、和逻辑式表示不同逻辑关系的逻辑式是（ B ）。
A、 B、 C、 D、
4、数字电路中机器识别和常用的数制是（ A ）。
A、二进制 B、八进制 C、十进制 D、十六进制
5、[＋56]的补码是（ D ）。
A、00111000B B、11000111B C、01000111B D、01001000B
6、所谓机器码是指（ B ）。
A、计算机内采用的十六进制码 B、符号位数码化了的二进制数码
C、带有正负号的二进制数码 D、八进制数
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。
A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。
A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。
1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。
A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止
2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管是（ D ）型。
A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP）
3、对功率放大器的要求主要是（ B ）、（ C ）、（ E ）。
A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真
4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ），此时应该（ E ）偏置电阻。
A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小
5、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。
A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移
6、共集电极放大电路的负反馈组态是（ A ）。
A、压串负 B、流串负 C、压并负
7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（ B）倍。
A、1 B、2 C、3
8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ A ）负反馈。
A、电压 B、电流 C、串联
9、分析运放的两个依据是（ A ）、（ B ）。
A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1
5、TTL门电路中，哪个有效地解决了“线与”问题？哪个可以实现“总线”结构？
答：TTL门电路中，OC门有效地解决了“线与”问题，三态门可以实现“总线”结构。
1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
图1-29
3、图1-29所示电路中，已知E=5V，V，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R=0，反向阻断时电阻R=∞），试画出u0的波形。
5
答：分析：根据电路可知，当ui>E时，二极管导通u0=ui，当ui 答：（a）图：两稳压管串联，总稳压值为14V，所以U0=14V； （b）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U0=6V； （c）图：两稳压管反向串联，U0=8.7V； （d）图：两稳压管反向并联，可认为DZ1截止不通，则U0=0.7V。 图1-30 7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？ 答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。 2、已知NPN型三极管的输入—输出特性曲线如图1-32所示，当 （1）UBE=0.7V，UCE=6V，IC=？ （2）IB=50μA，UCE=5V，IC=？ 0.1 0.3 0.5 0.7 0.9 （3）UCE=6V，UBE从0.7V变到0.75V时，求IB和IC的变化量，此时的（9分） 解：（1）由（a）曲线查得UBE=0.7V时，对应IB=30μA，由(b)曲线查得IC≈3.6mA； （2）由（b）曲线可查得此时IC≈5mA； （3）由输入特性曲线可知，UBE从0.7V变到0.75V的过程中，ΔIB≈30μA，由输出特性曲线可知，ΔIC≈2.4mA，所以β≈2400/30≈80。 1、共发射极放大器中集电极电阻RC起的作用是什么？（5分） 答：RC起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。 CE 1、如图2-23所示分压式偏置放大电路中，已知RC＝3.3KΩ，RB1＝40KΩ，RB2＝10KΩ，RE＝1.5KΩ，β=70。求静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ。（8分，图中晶体管为硅管） 解：静态工作点为： 试题一答案 一、填空（每空1分 共40分） 1、导通 截止 单向 2、反向 少数 温度 无关 3、零 无穷大 4、电流 电压 5、正偏 反偏 6、增加 减小 7、共射极 共集电极 共基极 8、直流 电流 9、A/1+AF 1/F 10、1+AF fH –fL 1+AF 11、共模 差模 12、交越 甲乙 13、双 单 14、小于近似等于1 大 小 15、零点 温度 集成 16、调幅 载波信号 17、KUxUy 二、选择题（每空2分 共30分） 1、B C F 2、C D 3、B C E 4、B E 5、C 6、A 7、 B 8、A 9、 A B 《模拟电子技术》模拟试题二 一、填空题（每空1分 共32分） 1、P型半导体中空穴为（ 少数 ）载流子，自由电子为（ 多数 ）载流子。 5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（ 增加 ），发射结压降UBE（ 减小 ）。 6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（ 正偏 ），集电结（ 反偏 ）。 8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（ 直流 ）负反馈，为了减小输出电阻采用（ 电压 ）负反馈。 10、共模信号是大小（ 相等 ），极性（ 相同 ）的两个信号。 11、乙类互补功放存在（ 交越 ）失真，可以利用（ 甲乙 ）类互补功放来克服。 12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（ 调频 ），低频信号称为（ 调制 ）信号，高频信号称高频（ 高频载波 ）。 14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（ 正反馈 ）网络。 15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（√2U2 ）。 二、选择题（每空2分 共30分） 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ）失真，下半周失真时为（ A ）失真。 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率 5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A ）能力。 A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ B ）之间变化。 A、0~20 B、20~200 C、200~1000 7、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（ C ）Uz A、0.45 B、0.9 C、1.2 9、对功率放大器的主要要求有（ B ）（ C ）（ E ）。 A、U0高， B、P0大 C、效率高 D、Ri大 E、波形不失真 10、振荡器的输出信号最初由（ C ）而来的。 A、基本放大器 B、选频网络 C、干扰或噪声信号 试题二答案 一、填空（每空1分 共32分） 1、多数 少数 2、导通 截止 单向 3、少数 温度 无关 4、电流 电压 5、增加 减小 6、正偏 反偏 7、共射极 共集电极 共基极 8、直流 电压 9、A/1+AF 1/F 10、相等 相同 11、交越 甲乙 12、调频 调制 高频载波 13、好 1+β 14、正反馈 15、√2U2 二、选择题（每空2分 共30分） 1、A 2、C E 3、B A 4、C 5、A 6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C 《模拟电子技术》模拟试题三 一、填空题（每空1分，共15分） 1.N型半导体中多数载流子是（自由电子），P型半导体中多数载流子是（空穴），PN结具有单向导电）特性。 2.发射结（正向）偏置，集电结（正向）偏置，则三极管处于饱和状态。 3.当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为（耗尽）型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为（增强）型场效应管。 4.集成运算放大器在比例运算电路中工作在（线性放大）区，在比较器中工作在（线性）区。 5.在放大电路中为了提高输入电阻应引入（串联）负反馈，为了降低输出电阻应引入（电压）负反馈。 二、选择题（每题2分，共20分） 1、一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（ B ）。 A、有微弱电流 B、无电流 C、有瞬间微弱电流 2、晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（ B ）。 A、增加 B、下降 C、不变 3、三极管的反向电流ICBO是由（ B ）组成的。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 4、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（A）。 Ａ、强 Ｂ、弱 Ｃ、一般 ５、射极跟随器具有（C）特点。 Ａ、电流放大倍数高 Ｂ、电压放大倍数高 Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低 ８、工作在线性区的运算放大器应置于（A）状态。 Ａ、深度反馈 Ｂ、开环 Ｃ、闭环 ９、产生正弦波自激震荡的稳定条件是（C）。 A、引入正反馈 B、|AF|≥1 C、AF=1 10、测量脉冲电压（例如尖脉冲）的峰值应使用（C）。 Ａ、交流毫伏表 Ｂ、直流电压表 Ｃ、示波器、 试题三答案 一 填空题 1．自由电子 空穴 单向导电 2．正向 正向 3．耗尽 增强 4．20 46 5．0.1 1.99 6．线性放大 非线性 7，串联 电压 二 选择题 1． b)； 2． b)； 3．b)； ４．a)； ５．c)； ６． c)； ７． a)； ８ a)； ９．C）； １０．c)； 《模拟电子技术》模拟试题四 一 、填空题（每空1分 ，共32分） 1、自由电子为（ 多数 ）载流子，空穴为（ 少数 ）载流子的杂质半导体称为（ N型 ）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（ 导通 ），反偏时（截止 ）。 3、扩展运动形成的电流是（ 正向 ）电流，漂移运动形成的电流是（ 反向 ）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（ 零 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ 无穷大 ），等效成开断。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（ 增加 ），电流放大系数β（ 增加 ）。 7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（ 串联 ）负反馈。为了稳定输出电流，采用（ 电流 ）负反馈。 8、负反馈使放大电路增益（ 下降 ），但（ 提高 ）增益稳定性。 10、差模信号是大小（ 相等 ），极性（ 相反 ），差分电路不抑制（ 温度 ）漂移。 12、用低频信号去改变高频信号的（ 幅度 ）称为调幅，高频信号称为（ 载波 ）信号。 13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（ 下降 ）共基极电路比共射极电路的高频特性（ 好 ），fa=（ 1+β ）fβ。 二、选择题（每空2分，共30分） 2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（ C ），该管是（ E ）型。 A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（ A ）失真。 A 饱和 B 截止 C交越 D频率 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ B ）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 试题四答案 一、填空（每空1分 共32分） 1、多数 少数 2、导通 截止 3、正向 反向 4、零 无穷大 5、gmugs 电压 6、增加 增加 7、串联 电流 8、下降 提高 9、 (1+AF) Xf/Xo 反馈系数 10、相等 相反 温度 11、乙类 交越 12、幅度 载波 13、下降 好 1+β 14、AF=1 相位平衡条件 15、√2U2 二、选择题（每空2分 共34分） 1、A 2、C E 3、B A 4、C 5、 A 6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C 《模拟电子技术》模拟试题五 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （ × ） 2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （ √ ） 3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （ × ） 4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （ √ ） 5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （ √ ） 6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （ √ ） 7半导体中的空穴带正电。 （ √ ） 8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （ × ） 9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （ × ） 10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （ × ） 二、选择填空 （10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A、D ； 为了展宽频带，应在放大电路中引入 C 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈 （D）交流负反馈 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法 （B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC B uB （B） uE 。 （A） > （B） < （C） = （D）≤ （7）锗二极管的正向导通压降比硅二极管的 B 。 （A） 大 （B） 小 （C） 相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。 答：二极管截止 u0= -6v 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 电 位 （V） 名 称 一、（1）×（2）√（3）×（4）√（5） √ （6）√（7）√（8）×（9）×（10）× 二、（1）A、D（2）C（3）B（4）B（5）B、C （6）B、B（7）B 三、二极管D截止，-6V 四、 电 位 （V） 名 称 一、选择题（每空2分 共30分） 5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A ）能力。 A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低 二 、填空题（每空1分 ，共32分） 2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（ 正偏 ）反之称为（ 反偏 ） 4、稳定二极管稳压时是处于（ 反向 ）偏置状态，而二极管导通时是处于（ 正向 ）偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( β ) Ib，所以它是（ 电流 ）控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（ 增加 ）所以Ic也（ 也增加 ) 。 8、负反馈使放大电路增益（下降），但它可以（ 扩展 ）通频带（ 减少 ）失真。 11、OCL电路是（ 双 ）电源互补功放，OTL是（ 单 ）电源互补功放。 试题六答案 一、选择题（每空2分 共30分） 1、A 2、C E 3、B A 4、C 5、A 6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C 二、填空（每空1分 共32分） 1、多数 少数 2、正偏 反偏 3、少数 温度 无关 4、反向 正向 5、β 电流 6、增加 也增加 7、直流 电压 串联 8、扩展 减少 9、Xf/Xo 1+AF 10、共模 差模 11、双 单 12、调相 调制 载波 13、下降 好 14、AF=1 正 15、√2U2 《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（ C ），该管是（ D ）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 二 、填空题（每空1分 ，共32分） 3、扩展运动形成的电流是（ 正向 ）电流，漂移运动形成的电流是（ 反向 ）。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（ 增加 ），电流放大系数β（ 增加 ）。 8、负反馈使放大电路增益（ 下降 ），但（ 提高 ）增益稳定性。 10、差模信号是大小（ 相等 ），极性（ 相反 ），差分电路不抑制（ 温度 ）漂移。 试题七答案 一、选择题（每空2分 共34分） 1、A 2、C D 3、B A 4、C 5、B C E 6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C 二、填空题（每空1分 共32分） 1、多数 少数 2、导通 截止 3、正向 反向 4、零 无穷大 5、gmugs 电压 6、增加 增加 7、串联 电流 8、下降 提高 9、 (1+AF) Xf/Xo 反馈系数 10、相等 相反 温度 11、乙类 交越 12、幅度 载波 13、下降 好 1+β 14、AF=1 相位平衡条件 15、√2U2 《模拟电子技术》模拟试题八 一、选择题（每空2分，共30分） 2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（ C ），该管是（ E ）型。 A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN) 5、KMCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A ）能力。 A放大差模抑制共模 B 输入电阻高 C输出电阻低 二、填空题：（每空1分 共40分） 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ 正偏 ），集电结（ 反偏 ）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ 增加 ），发射结压降（ 减小 ）。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 交越 ）失真，而采用（ 甲乙 ）类互补功率放大器。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（ 小于近似等于1 ），输入电阻（ 大 ），输出电阻（小 ）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（ 零点 ）漂移，也称（ 温度 ）漂移，所以它广泛应用于（ 集成 ）电路中。 试题八答案 一、选择题（每空2分 共30分） 1、A 2、C E 3、B A 4、C 5、 A 6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C 二、填空（每空1分 共40分） 1、导通 截止 单向 2、反向 少数 温度 无关 3、零 无穷大 4、电流 电压 5、正偏 反偏 6、增加 减小 7、共射极 共集电极 共基极 8、直流 电流 9、A/1+AF 1/F 10、1+AF fH –fL 1+AF 11、共模 差模 12、交越 甲乙 13、双 单 14、小于近似等于1 大 小 15、零点 温度 集成 16、调幅 载波信号 17、KUxUy 《模拟电子技术》模拟试题九 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ × ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ √ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ × ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ × ） （5）利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。 （ √ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ √ ） （7）未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。 （ × ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ √ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ × ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ √ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 B ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 C 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈 （3）通用型集成运放的输入级多采用 D 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。 （A）β （B）β2 （C）2β （D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路 （B）共集放大电路 （C）共射放大电路 （6）当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC A uB A uE 。 （A） > （B） < （C） = （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A） 大 （B） 小 （C） 相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。 答：二极管D导通，-3V 试题十答案 一、（1）×（2）√（3）×（4）√（5） √ （6）√（7）×（8）√（9）×（10）√ 二、（1）B、C（2）B（3）D（4）B（5）B、C （6）A、A（7）A 三、二极管D导通，-3V 四、；；；； ；；增大；减小；减小；减小 《模拟电子技术》模拟试题十一 一、选择题（每空2分 共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（ A ）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（ B ）倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ A ）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 9、分析运放的两个依据是（ A ）、（ B ）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1 二、填空题（每空1分 共32分） 1、P型半导体中空穴为（ 多数 ）载流子，自由电子为（ 少数 ）载流子。 3、反向电流是由（ 少数 ）载流子形成，其大小与（ 温度 ）有关，而与外加电压（ 无关 ）。 5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（ 增加 ），发射结压降UBE（ 减小 ）。 6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（ 正偏 ），集电结（ 反偏 ）。 8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（ 直流 ）负反馈，为了减小输出电阻采用（ 电压 ）负反馈。 14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（ 正反馈 ）网络。 15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（ √2U2 ）。 试题十一答案 一、选择题（每空2分 共30分） 1、B C F 2、C D 3、B C E 4、B E 5、C 6、A 7、 B 8、A 9、 A B 二、填空（每空1分 共32分） 1、多数 少数 2、导通 截止 单向 3、少数 温度 无关 4、电流 电压 5、增加 减小 6、正偏 反偏 7、共射极 共集电极 共基极 8、直流 电压 9、A/1+AF 1/F 10、相等 相同 11、交越 甲乙 12、调频 调制 高频载波 13、好 1+β 14、正反馈 15、√2U2 《模拟电子技术》模拟试题十二 一、填空题（20分，每空1分） 2． 在有源滤波器中，运算放大器工作在 线性 区；在滞回比较器中，运算放大器工作在 非线性 区。 3． 在三极管多级放大电路中，已知Au1＝20，Au2＝－10，Au3＝1，则可知其接法分别为：Au1是 共基 放大器，Au2是 共射 放大器，Au3是 共集 放大器。 二、基本题：（每题5分，共25分） 1．（5分）如图所示电路中D为理想元件，已知ui = 5sinωtV ，试对应ui画出uo的波形图。 2．（5分）测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。 试题十二答案 一、 1．电流、正向、反向；电压。 2．线性、非线性。 3．共基、共射、共集。 4．差模、共模、。 5．低通、200、200。 6．乙类、0、、0.2。 二、 2．放大状态。 4．电压－串联、增大、宽。 三、 1． 2． 《模拟电子技术》模拟试题十八 一 、填空题（每空1分 ，共32分） 1、空穴为（ 多数 ）载流子。自由电子为（ 少数 ）载流子的杂质半导体称为P型半导体。 2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（ 正偏 ）反之称为（ 反偏 ） 3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（ 少数 ）栽流子形成，其大小决定于（ 温度 ），而与外电场（ 无关 ）。 4、稳定二极管稳压时是处于（ 反向 ）偏置状态，而二极管导通时是处于（ 正向 ）偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( βIb ) 所以它是（ 电流 ）控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（ 增加 ）所以Ic也（ 增加 ) 。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（ 直流 ）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（ 电压 ）负反馈，为了提高输入电阻采用（ 串联 ）负反馈.。 10、差分放大电路能够抑制（ 共模 ）信号，放大（ 差模 ）信号。 12、用低频信号改变高频信号的相位称为（ 调相）。低频信号称为（ 调制 ）、高频信号称为（载波 ）。 13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（ 下降 ） 。共基极电路比共射极电路高频特性（ 好 ）。 15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（ √2U2 ）。 二、选择题（每空2分，共34分） 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（ C ），该管是（ D ）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（ A ）失真。 A 饱和 B 截止 C交越 D频率 4、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。 A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（ B ） （ C ） （ E ） A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真 7、单相桥式整流电容 波电路输出电压平均在Uo=( C )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（ A ）（ B ）。 A U —=U+ B I—=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 10、振荡器的输出信号最初是由（ C ）而来的。 A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声信号 试题十八答案 一、填空（每空1分 共32分） 1、多数 少数 2、正偏 反偏 3、少数 温度 无关 4、反向 正向 5、β 电流 6、增加 也增加 7、直流 电压 串联 8、扩展 减少 9、Xf/Xo 1+AF 10、共模 差模 11、双 单 12、调相 调制 载波 13、下降 好 14、AF=1 正 15、√2U2 二、选择题（每空2分 共34分） 1、A 2、C D 3、B A 4、C 5、B C E 6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C 1、静态工作点的求法：共射放大电路或者工作点稳定的放大电路 2、组合逻辑电路的分析 3、组合逻辑电路的设计 4、同步时序逻辑电路的分析 5、用译码器实现组合逻辑函数 6、用数据选择器实现组合逻辑函数 考试题型： 1、选择题10个*2=20分 2、逻辑函数的化简2个*5=10分 3、计算1个*10+2个*15=40 4、设计题1个*20=20
试题五答案 管 号 T1 T2 T3 管 号 T1 T2 T3 管 脚 ① 0.7 6.2 3 电 极 ① B E E ② 0 6 10 ② E B C ③ 5 3 3.7 ③ C C B 材 料 Si Ge Si 类 型 NPN PNP NPN
《模拟电子技术》模拟试题六 管 号 T1 T2 T3 管 号 T1 T2 T3 管 脚 ① 0.7 6.2 3 电 极 ① B E E ② 0 6 10 ② E B C ③ 5 3 3.7 ③ C C B 材 料 Si Ge Si 类 型 NPN PNP NPN
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