直拉硅单晶的引晶方法及其制造方法

来源：动视网责编：小OO 时间：2025-09-26 23:40:52

直拉硅单晶的引晶方法及其制造方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN110528068A（43）申请公布日2019.12.03（21）申请号CN201810515361.8（22）申请日2018.05.25（71）申请人隆基绿能科技股份有限公司地址710100陕西省西安安区航天中路388号（72）发明人王正远;李侨;周锐（74）专利代理机构西安弘理专利事务所代理人钟欢（51）Int.CI权利要求说明书说明书幅图（54）发明名称直拉硅单晶的引晶方法及其制造方法（57）摘要本发明公开

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导读（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN110528068A（43）申请公布日2019.12.03（21）申请号CN201810515361.8（22）申请日2018.05.25（71）申请人隆基绿能科技股份有限公司地址710100陕西省西安安区航天中路388号（72）发明人王正远;李侨;周锐（74）专利代理机构西安弘理专利事务所代理人钟欢（51）Int.CI权利要求说明书说明书幅图（54）发明名称直拉硅单晶的引晶方法及其制造方法（57）摘要本发明公开

（19）中华人民共和国国家知识产权局

	（12）发明专利申请
		（10）申请公布号 CN110528068A（43）申请公布日 2019.12.03

（21）申请号 CN201810515361.8

（22）申请日 2018.05.25

（71）申请人隆基绿能科技股份有限公司

地址 710100 陕西省西安安区航天中路388号

（72）发明人王正远;李侨;周锐

（74）专利代理机构西安弘理专利事务所

代理人钟欢

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

直拉硅单晶的引晶方法及其制造方法

（57）摘要

本发明公开一种直拉硅单晶的引晶方法，以引晶速度偏差引晶温度，引晶速度偏差为引晶调温周期内的平均引晶速度与设定引晶速度的差值。若引晶速度偏差为正，引晶温度正向微调；若引晶速度偏差为负，引晶温度负向微调。根据缩径过程差异，引晶温度方式包括：整个引晶过程仅有一连续缩径过程，在整个过程中，引晶温度微调量根据功率调节系数设定；或引晶过程为一非连续缩径过程，包括第一缩径过程、等细晶过程和第二缩径过程，经第二缩径过程达到缩径目标直径，在等细晶过程中进行一次引晶温度，引晶温度微调量根据功率调节系数设定。本发明还公开采用上述引晶方法的直拉硅单晶的生产方法。本发明引晶准确调温，提高了单晶成品率。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2019-12-03	公开	公开
2019-12-03	公开	公开
2019-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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直拉硅单晶的引晶方法及其制造方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN110528068A（43）申请公布日2019.12.03（21）申请号CN201810515361.8（22）申请日2018.05.25（71）申请人隆基绿能科技股份有限公司地址710100陕西省西安安区航天中路388号（72）发明人王正远;李侨;周锐（74）专利代理机构西安弘理专利事务所代理人钟欢（51）Int.CI权利要求说明书说明书幅图（54）发明名称直拉硅单晶的引晶方法及其制造方法（57）摘要本发明公开

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