碳化硅产品说明书

名称：碳化硅Sic

一、物理化学性质

1、化学性质

（1）化学稳定性

SiC是以共价键为主要健型的化合物。因此，它的化学稳定性良好，有很强的耐酸性，在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蚀，但正磷酸可使它分解。SiC也具有极佳的热稳定性，实验证明在2300℃高温时，SiC固体表面气相中含游离硅只有5%，固态SiC暴露在空气中加热时其表面氧化实际上在1000℃开始，但由此生成的SiO2保护膜阻止氧化反应继续进行。

（2）抗氧化性

SiC具有良好的抗氧化性。SiC的氧化动力学研究表明，其氧化速度为扩散控制过程，即SiC在空气中加热到800℃时就开始明显氧化；1000℃以上时在表面开始生成SiO2薄膜，由于SiO2层的产生所以氧化作用得以。

2、物理性质

（1）硬度

由于SiC的结构与金刚石相类似，其摩式硬度达9.5，压缩系数为0.21×10-6,仅次于金刚石。

（2）抗热震性能

由于SiC具有很高的热导率（约为刚玉的4倍）和较低的热（线）膨胀系数，使得SiC制品在加热和冷却过程中受到的热应力较小，因而具有优异的抗热震性能。

（3）力学性能

SiC具有优异的力学性能和耐磨性能，而研磨能力约为刚玉的2倍。

二、理化指标

碳化硅1200#、1500#和2000#应符合下表所列的标准。

粒度

用于太阳能电池、半导体、压电晶体等行业的单晶硅、多晶硅、 砷化镓、石英晶体切割和研磨。

四、运输注意事项

   运输前应先检查包装袋是否完整、密封。运输过程中要确保包装袋不泄露、不损坏，以防受到粉尘污染。要确保运输车辆环境干燥，注意防潮。

五、储存

   储存时注意防暴晒、防潮、防粉尘污染。