MOSFET管是FET的一种，分为增强型和耗尽型，以及P沟道和N沟道四种类型。在实际应用中，主要使用增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，通常简称NMOS和PMOS。
场效应管主要分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
一、结型场效应管（JFET）
结型场效应管有两种结构形式：N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。它们都具有三个电极：栅极、漏极和源极。电路符号中栅极的箭头方向表示两个PN结的正向导电方向。
二、绝缘栅场效应管（MOS管）
1. 绝缘栅场效应管（MOS管）主要有N沟道型和P沟道型，分为增强型和耗尽型两种。
2. MOS管由金属、氧化物和半导体组成，因此也称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOSFET。
3. 绝缘栅型场效应管的工作原理：以N沟道增强型MOSFET为例，它通过控制栅极电压UGS来改变导电沟道的状态，进而控制漏极电流。在制造过程中，绝缘层中形成大量正离子，使得界面另一侧感应出较多负电荷，这些负电荷将高掺杂的N区连接起来，形成导电沟道。即使在VGS=0时，也有较大的漏极电流ID。当栅极电压变化时，沟道内感应的电荷量也变化，导电沟道的宽窄随之改变，漏极电流ID随之变化。
场效应管的工作方式有两种：耗散型和增强型。耗散型在场效应管栅压为零时有较大漏极电流；增强型在场效应管栅压为零时，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压才有漏极电流。
