1、VCC（电源正）：3.3V或5V，具体取决于应用和设计。
2、VSS（电源负）：0V或地电位，具体取决于应用和设计。
3、VEE（增强极电压）：通常为正电压，用于增强PMOS管的导通能力。具体数值取决于应用和设计。
4、VGS（栅极电压）：通常为负电压，用于控制PMOS管的导通和截止。具体数值取决于应用和设计。
5、DS（源极电压）：通常为正电压，与VCC相连。具体数值取决于应用和设计。
6、SS（栅极电压）：通常为正电压，与VCC相连。具体数值取决于应用和设计。
7、GN（栅极负电压）：通常为负电压，用于控制NMOS管的导通和截止。具体数值取决于应用和设计。
8、GS（源极电压）：通常为正电压，与VSS相连。具体数值取决于应用和设计。
