光刻胶是一种在微电子技术中用于微细图形加工的关键材料。它主要由感光树脂、增感剂和溶剂组成，是一种对光敏感的混合液体。在紫外光、电子束、离子束或X射线等照射或辐射下，光刻胶的溶解度会发生变化，从而实现从掩模版到待加工基片上的图形转移。
光刻胶按照形成的图像分类，有正性光刻胶和负性光刻胶两大类。正性光刻胶在曝光后，曝光部分会溶解于显影液，留下未曝光的部分形成图形；而负性光刻胶则相反，未曝光部分会溶解，留下曝光部分形成图形。此外，根据曝光光源和辐射源的不同，光刻胶还可分为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、X射线胶、电子束胶和离子束胶等。
在集成电路制造过程中，光刻胶的作用至关重要。它被广泛应用于硅片制造、显示面板生产以及半导体分立器件的加工等领域。光刻胶的质量直接影响集成电路的制造成本、良率及性能。随着半导体技术的不断发展，对光刻胶的需求也在稳步增加。
举例来说，在硅片制造过程中，光刻胶被涂覆在硅片表面，并经过干燥形成胶膜。随后，通过曝光和显影步骤，将掩模版上的图形转移到硅片上。这一过程中，光刻胶的分辨率、对比度和敏感度等性能指标对最终图形的质量和精度具有决定性影响。因此，不断提升光刻胶的性能和技术水平是推动微电子技术发展的关键之一。
