20n60场效应管参数

结论：20N60场效应管是一款特别设计的电子元件，其主要参数如下：

这款N通道IGBT管的最大特点是其集电极-发射极击穿电压高达600V，能够承受较高的电压。它的集电极电流能力为45A，这意味着在正常工作条件下，它能稳定提供20A的持续漏极电流（在25℃时）。在温度升高到100℃时，漏极电流会降低至12.5A。

在栅源电压方面，20N60场效应管的栅源电压范围是±30V，这对于控制和驱动电路的性能至关重要。它的功率损耗在连续工作状态下为74W，确保了在正常使用时的散热管理。

导通电阻是衡量管子效率的关键参数，当ID为10A且VGS为10V时，静态导通电阻的典型值为0.31Q，最大值为0.38Q，这表明其在低负载下表现出良好的线性性能。

温度范围为-55°C至+150°C，这意味着它可以在较为宽广的环境温度下稳定工作。至于封装，20N60场效应管采用的是常见的TO-220封装，这使得它在板级设计中具有较高的集成度和便利性。

总的来说，20N60场效应管是一款适合需要高电压、高电流和良好温度适应性的应用场合的高效电子元件。