蓝思科技平磨跟反磨区别



1. 平磨（Lapping）：平磨是一种机械磨削的工艺，通过旋转的研磨盘和磨料，将晶圆表面进行磨削和抛光。平磨可以去除晶圆表面的杂质、凹凸不平和裂纹等缺陷，平整晶圆表面，提供更好的平整度和光洁度。它常用于晶圆的初加工和粗磨工序。

2. 反磨（CMP，Chemical Mechanical Polishing）：反磨是一种化学机械抛光的工艺，结合了化学腐蚀和机械磨削两种作用。反磨使用旋转的研磨盘，涂有一层化学性质的抛光液和磨料，对晶圆表面进行研磨和抛光。通过化学反应和磨料的机械作用，可以去除晶圆表面的氧化层、残留杂质和凹凸不平等，得到更高质量的表面平整度和光洁度。反磨工艺适用于半导体加工工序中的研磨、平整化和去除残留杂质等步骤。

总的来说，平磨和反磨都是用于半导体制造中对晶圆表面进行精加工的工艺方法。平磨主要通过机械磨削实现表面的平整与抛光，而反磨则是通过机械磨削和化学反应相结合的方式实现对晶圆表面的处理。根据具体的工艺要求和步骤，可以选取适合的工艺方法。