apd管包括
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责编：小OO
时间：2024-09-03 02:25:49
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1、雪崩光电二极管（APD）是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管，在加上一个较高的反向偏置电压后，利用电离碰撞（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个100的内部电流增益。2、硅光电倍增器件（SiPM）是一种新型的光电探测器件，由工作在盖革模式的雪崩二极管阵列组成，具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。
导读1、雪崩光电二极管（APD）是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管，在加上一个较高的反向偏置电压后，利用电离碰撞（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个100的内部电流增益。2、硅光电倍增器件（SiPM）是一种新型的光电探测器件，由工作在盖革模式的雪崩二极管阵列组成，具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。
雪崩光电二极管和硅光电倍增器件。
1、雪崩光电二极管（APD）是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管，在加上一个较高的反向偏置电压后，利用电离碰撞（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个100的内部电流增益。
2、硅光电倍增器件（SiPM）是一种新型的光电探测器件，由工作在盖革模式的雪崩二极管阵列组成，具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。
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1、雪崩光电二极管（APD）是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管，在加上一个较高的反向偏置电压后，利用电离碰撞（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个100的内部电流增益。2、硅光电倍增器件（SiPM）是一种新型的光电探测器件，由工作在盖革模式的雪崩二极管阵列组成，具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。
