硼扩散工艺原理
来源：懂视网
责编：小OO
时间：2024-09-15 10:06:42
硼扩散工艺原理
1、沉积硼化（沉积硼化硅SiBx）层，在硅晶片表面生长一层SiBx，在800-1000°C的高温下，硼化硅分解，释放出硼原子）层，在硅晶片表面生长一层SiBx，在800-1000°C的高温下，硼化硅分解，释放出硼原子。2、高温扩散：在高温（1000°C）条件下，硼原子会扩散进入硅晶体中，形成浅层p-n结和浅层p+结。
导读1、沉积硼化（沉积硼化硅SiBx）层，在硅晶片表面生长一层SiBx，在800-1000°C的高温下，硼化硅分解，释放出硼原子）层，在硅晶片表面生长一层SiBx，在800-1000°C的高温下，硼化硅分解，释放出硼原子。2、高温扩散：在高温（1000°C）条件下，硼原子会扩散进入硅晶体中，形成浅层p-n结和浅层p+结。
硼扩散工艺是一种用于提高太阳能电池转换效率的技术，其基本原理是在硅晶体中掺杂硼元素，形成p型掺杂区，从而改变硅晶体的导电性质，促进光电转换，具体步骤如下：
1、沉积硼化（沉积硼化硅SiBx）层，在硅晶片表面生长一层SiBx，在800-1000°C的高温下，硼化硅分解，释放出硼原子）层，在硅晶片表面生长一层SiBx，在800-1000°C的高温下，硼化硅分解，释放出硼原子。
2、高温扩散：在高温（1000°C）条件下，硼原子会扩散进入硅晶体中，形成浅层p-n结和浅层p+结。
硼扩散工艺原理
1、沉积硼化（沉积硼化硅SiBx）层，在硅晶片表面生长一层SiBx，在800-1000°C的高温下，硼化硅分解，释放出硼原子）层，在硅晶片表面生长一层SiBx，在800-1000°C的高温下，硼化硅分解，释放出硼原子。2、高温扩散：在高温（1000°C）条件下，硼原子会扩散进入硅晶体中，形成浅层p-n结和浅层p+结。
