干法刻蚀提高对硅的选择比
来源：懂视网
责编：小OO
时间：2024-09-17 13:49:05
干法刻蚀提高对硅的选择比
200：1和1000：1。使用si3n4和sio2等作为掩模，对硅的刻蚀有高的刻蚀选择比，分别为200：1和1000：1；2基片可选择性大，由于刻蚀完全是一个化学反应过程，由于残余气体都可以排出，所以基片尺寸可以减小。
导读200：1和1000：1。使用si3n4和sio2等作为掩模，对硅的刻蚀有高的刻蚀选择比，分别为200：1和1000：1；2基片可选择性大，由于刻蚀完全是一个化学反应过程，由于残余气体都可以排出，所以基片尺寸可以减小。
200：1和1000：1。使用si3n4和sio2等作为掩模，对硅的刻蚀有高的刻蚀选择比，分别为200：1和1000：1；2基片可选择性大，由于刻蚀完全是一个化学反应过程，由于残余气体都可以排出，所以基片尺寸可以减小。
干法刻蚀提高对硅的选择比
200：1和1000：1。使用si3n4和sio2等作为掩模，对硅的刻蚀有高的刻蚀选择比，分别为200：1和1000：1；2基片可选择性大，由于刻蚀完全是一个化学反应过程，由于残余气体都可以排出，所以基片尺寸可以减小。
