NMOS管Q5作为电路的核心元件，其源极直接接地，电压为零。当栅极电压高于阈值电压Vth（通常约为0.7V）时，NMOS管将导通，形成源漏之间的导电沟道，允许电流通过。反之，若栅极未施加电压或电压低于阈值电压，NMOS管则处于关闭状态，其电阻极大，导致大部分电压施加于管子本身，而R12上电压微乎其微，因此电路中的电流几乎为零。
一旦栅极电压超过阈值电压，NMOS管迅速导通，其电阻急剧减小，R12便分担部分电压，使电路中电流增大。此时，电流的大小不仅遵循欧姆定律（电阻电流电压方程），还符合萨支唐方程（NMOS管电流电压方程），确保上下电流的一致性。
保护二极管的作用不容忽视。当漏源电压较高时，在NMOS管发生源漏穿通之前，二极管会率先发生反向击穿，从而保护了NMOS管免受损害。如果二极管作为稳压管使用，其主要功能是维持漏源电压的恒定，从而通过选择合适的稳压管来设定电流的大小。
在这种配置下，流过R12的电流等于流过二极管的电流与流过NMOS管的电流之和，严格遵守基尔霍夫电流定律，即流入节点的电流等于流出节点的电流。这种配置不仅确保了电流的一致性和稳定性，还有效地保护了NMOS管，避免了其因过高的漏源电压而受损。详情
