氮化铝陶瓷是一种以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷材料，其英文名为AluminiumNitrideCeramic。AIN晶体以（AIN4）四面体为结构单元，是一种共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属于六方晶系。氮化铝陶瓷的化学组成中，铝元素占65.81%，氮元素占34.19%，其密度为3.261g/cm3，呈白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。
这种材料因其优异的性能而备受关注。氮化铝陶瓷是一种高温耐热材料，具有较低的热膨胀系数，大约为（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN的热导率高达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，因此耐热冲击性能良好，能承受高达2200℃的高温。
此外，氮化铝陶瓷还具有极好的耐侵蚀性。由于其独特的晶体结构和化学组成，氮化铝陶瓷在高温下表现出极高的热稳定性，适合用于高温环境下的应用。
陶瓷电路板以其出色的高频性能和电学性能，以及高热导率、优良的化学稳定性和热稳定性，成为了新一代大规模集成电路和功率电子模块的理想封装材料。近年来，斯利通陶瓷电路板得到了广泛的关注和迅速发展，其应用范围不断扩大。
氮化铝陶瓷基片蚀刻金属电路后，即成为氮化铝陶瓷基板。这种基板具有出色的热传导性能，能够在高温环境下稳定工作，同时保持良好的电气性能。其高热导率使得氮化铝陶瓷基板能够迅速散热，提高电子元件的工作效率和使用寿命。
陶瓷电路板以其优异的性能，逐渐取代了传统的有机基板，成为现代电子制造业中的重要材料。随着科技的进步和应用需求的增长，氮化铝陶瓷基板的应用领域也在不断扩展，其市场前景十分广阔。
