在硅材料中，BJT的Vbe通常设定为0.7v，在锗材料中，可以近似为0.3v。在做题时，若不明确材料类型，一般使用0.7v，因为其影响较小，不会造成显著误差。
由于Vbe的最大值在导通状态下仅为0.7v，因此“我看书上说ib随着vbe的增大而增大”这一结论描述的是一个很小量之间的关系。
在实际应用中，Vbe与Ib之间的关系较为复杂，但可以近似认为，在一定范围内，Ib的大小与Vbe成正比。这是因为Vbe的增加会导致基极电流Ib的相应增加，从而增加集电极电流Ic，实现放大功能。
值得注意的是，Vbe与Ib的关系并非线性，它受多种因素影响，包括温度、材料类型等。因此，在进行电路设计时，需要综合考虑这些因素，以确保电路的稳定性和可靠性。
此外，Vbe与Ib之间的关系还与BJT的类型有关，如NPN型和PNP型BJT在结构上存在差异，这将导致它们在具体应用中的表现不同。因此，在设计电路时，选择合适的BJT类型也至关重要。
总之，Vbe与Ib之间的关系在一定程度上决定了BJT的工作状态，是电路设计中需要重点关注的一个方面。
