mbrb20100ct参数
来源：动视网
责编：小OO
时间：2024-08-12 01:51:37
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1、正向电流为20A，反向耐压为100V，正向电压为0.82V，恢复时间为5ns，其中有3条引线。2、封装为TO-220，特性为肖特基二极管，芯片个数为2，芯片尺寸为102MIL。3、浪涌电流Ifsm为150A，漏电流为20UA，工作温度范围为零下55摄氏度至零上150摄氏度。
导读1、正向电流为20A，反向耐压为100V，正向电压为0.82V，恢复时间为5ns，其中有3条引线。2、封装为TO-220，特性为肖特基二极管，芯片个数为2，芯片尺寸为102MIL。3、浪涌电流Ifsm为150A，漏电流为20UA，工作温度范围为零下55摄氏度至零上150摄氏度。
mbrb20100ct参数是：
1、正向电流为20A，反向耐压为100V，正向电压为0.82V，恢复时间为5ns，其中有3条引线。
2、封装为TO-220，特性为肖特基二极管，芯片个数为2，芯片尺寸为102MIL。
3、浪涌电流Ifsm为150A，漏电流为20UA，工作温度范围为零下55摄氏度至零上150摄氏度。
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1、正向电流为20A，反向耐压为100V，正向电压为0.82V，恢复时间为5ns，其中有3条引线。2、封装为TO-220，特性为肖特基二极管，芯片个数为2，芯片尺寸为102MIL。3、浪涌电流Ifsm为150A，漏电流为20UA，工作温度范围为零下55摄氏度至零上150摄氏度。
