硅单晶少数载流子寿命测试原理
来源：懂视网
责编：小OO
时间：2024-10-16 15:01:46
硅单晶少数载流子寿命测试原理
光生伏特效应。当硅单晶受到特定波长的激光照射时，会在硅材料内部产生大量的少数载流子，这些载流子在激光撤掉后会逐渐消失，这个过程需要一定的时间，即少数载流子的寿命。
导读光生伏特效应。当硅单晶受到特定波长的激光照射时，会在硅材料内部产生大量的少数载流子，这些载流子在激光撤掉后会逐渐消失，这个过程需要一定的时间，即少数载流子的寿命。
光生伏特效应。当硅单晶受到特定波长的激光照射时，会在硅材料内部产生大量的少数载流子，这些载流子在激光撤掉后会逐渐消失，这个过程需要一定的时间，即少数载流子的寿命。
硅单晶少数载流子寿命测试原理
光生伏特效应。当硅单晶受到特定波长的激光照射时，会在硅材料内部产生大量的少数载流子，这些载流子在激光撤掉后会逐渐消失，这个过程需要一定的时间，即少数载流子的寿命。
