原理是基于光刻技术，通过控制光刻胶的曝光和显影，将芯片表面的图形图案转移到硅片表面上，从而形成芯片电路结构，深槽显影技术主要包含以下。
1、光刻胶涂覆，将光刻胶涂覆在硅片表面，使其形成一层均匀的薄膜。
2、曝光，将掩模上的图形图案通过光刻机投射到光刻胶表面上，使得光刻胶在待刻图案区域发生化学反应，形成光刻胶的显影区和未显影区。
3、显影，将经过曝光的光刻胶浸泡在显影液中，使得显影液进入到显影区，溶解掉显影区的光刻胶。
4、深槽刻蚀，将经过显影的硅片放入刻蚀机中，在刻蚀气体的作用下，将显影区的硅片进行刻蚀，形成深槽结构。
