为什么屏蔽作用越大,出现在高场
来源：动视网
责编：小OO
时间：2024-09-30 11:10:45
为什么屏蔽作用越大,出现在高场
化学位移小，屏蔽强，共振所需磁场强度大，在高场出现。氢核本身是s层电子，以抗磁屏蔽效应为主导，电子密度越大，抗磁屏蔽效应越强，要使得其核发生自旋共振的能量就越高，这就是高场，而标准物质四甲基硅上氢核的电子密度相对很大，以零的话，高场的化学位移就小。
导读化学位移小，屏蔽强，共振所需磁场强度大，在高场出现。氢核本身是s层电子，以抗磁屏蔽效应为主导，电子密度越大，抗磁屏蔽效应越强，要使得其核发生自旋共振的能量就越高，这就是高场，而标准物质四甲基硅上氢核的电子密度相对很大，以零的话，高场的化学位移就小。
化学位移小，屏蔽强，共振所需磁场强度大，在高场出现。氢核本身是s层电子，以抗磁屏蔽效应为主导，电子密度越大，抗磁屏蔽效应越强，要使得其核发生自旋共振的能量就越高，这就是高场，而标准物质四甲基硅上氢核的电子密度相对很大，以零的话，高场的化学位移就小。
为什么屏蔽作用越大,出现在高场
化学位移小，屏蔽强，共振所需磁场强度大，在高场出现。氢核本身是s层电子，以抗磁屏蔽效应为主导，电子密度越大，抗磁屏蔽效应越强，要使得其核发生自旋共振的能量就越高，这就是高场，而标准物质四甲基硅上氢核的电子密度相对很大，以零的话，高场的化学位移就小。
