chargetrapflash原理
来源：懂视网
责编：小OO
时间：2024-10-01 00:01:27
chargetrapflash原理
chargetrapflash原理如下：chargetrapflash，译作电荷捕获闪存，在CTF架构中，没有浮栅，数据被临时存放在闪存内由氮化硅制成的非传导层，也就是所谓的保持室（HoldingChamber）中，从而可以获得更高等级的可靠性与更好的存储电路的控制性。
导读chargetrapflash原理如下：chargetrapflash，译作电荷捕获闪存，在CTF架构中，没有浮栅，数据被临时存放在闪存内由氮化硅制成的非传导层，也就是所谓的保持室（HoldingChamber）中，从而可以获得更高等级的可靠性与更好的存储电路的控制性。
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chargetrapflash原理
chargetrapflash原理如下：chargetrapflash，译作电荷捕获闪存，在CTF架构中，没有浮栅，数据被临时存放在闪存内由氮化硅制成的非传导层，也就是所谓的保持室（HoldingChamber）中，从而可以获得更高等级的可靠性与更好的存储电路的控制性。
