mosfet属于什么器件

mosfet属于半导体器件。

mosfet的全称是金属氧化物半导体场效应晶体管，也称为MOS场效应晶体管。它是一种非常重要的半导体器件，在电子电路中有广泛的应用。 Mosfet由三个区域组成：源极（source）、漏极（drain）和栅极（gate）。

源极和漏极之间有一个导电通道，该通道的电阻可以通过栅极电压的变化而改变。当栅极电压为零时，导电通道阻力最小，电流可以流过导电通道。当栅极电压变化时，导电通道的电阻也会随之变化，从而控制电流的流动。

功率mosfet的发展历史

mosfet自1976年诞生以来，不断面对着社会电气化程度的提高所带来的对于功率半导体的更高性能需求。对于功率mosfet而言，主要的性能提升方向包括三个方面：更高的频率、更高的输出功率以及更低的功耗。

为了实现更高的性能指标，功率mosfet主要经历了制程缩小、技术变化、工艺进步与材料迭代这4个层次的演进过程，其中由于功率mosfet更需要功率处理能力而非运算速度，因此制程缩小这一层次的演进已在2000年左右基本上终结了，但其他的3个层次的演进仍在帮助功率mosfet不断追求着更高的功率密度与更低的功耗。