陶瓷位错密度对性能影响
来源：动视网
责编：小OO
时间：2024-10-04 01:47:54
陶瓷位错密度对性能影响
1、位错可起一定的施主和受主作用Si、Ge中的60。楼位错存在有一串悬挂键，接受电子而成为--串负电中心，起受主作用。2、位错是散射载流子的中心：位错除了有一定的施主、受主和杂质补偿的作用以外，位错所造成的晶格畸变是散射载流子的中心，将严重散射载流子，影响迁移率。不过在位错密度位错对陶瓷材料性能的影响)离子半径是与Ti4+离子半径相近的。
导读1、位错可起一定的施主和受主作用Si、Ge中的60。楼位错存在有一串悬挂键，接受电子而成为--串负电中心，起受主作用。2、位错是散射载流子的中心：位错除了有一定的施主、受主和杂质补偿的作用以外，位错所造成的晶格畸变是散射载流子的中心，将严重散射载流子，影响迁移率。不过在位错密度位错对陶瓷材料性能的影响)离子半径是与Ti4+离子半径相近的。
陶瓷位错密度对性能影响如下：
1、位错可起一定的施主和受主作用Si、Ge中的60。楼位错存在有一串悬挂键，接受电子而成为--串负电中心，起受主作用。
2、位错是散射载流子的中心：位错除了有一定的施主、受主和杂质补偿的作用以外，位错所造成的晶格畸变是散射载流子的中心，将严重散射载流子，影响迁移率。不过在位错密度位错对陶瓷材料性能的影响)离子半径是与Ti4+离子半径相近的。
陶瓷位错密度对性能影响
1、位错可起一定的施主和受主作用Si、Ge中的60。楼位错存在有一串悬挂键，接受电子而成为--串负电中心，起受主作用。2、位错是散射载流子的中心：位错除了有一定的施主、受主和杂质补偿的作用以外，位错所造成的晶格畸变是散射载流子的中心，将严重散射载流子，影响迁移率。不过在位错密度位错对陶瓷材料性能的影响)离子半径是与Ti4+离子半径相近的。
