igbt拖尾电流产生原因



igbt拖尾电流产生原因：
1、电导率调制：当从P区注入空穴时，导通时高电阻N漂移层的电阻率会降低。由于电导率调制，可降低导通电压，但是IGBT关断时需从N漂移层中去除少数载流子。
2、基本的IGBT等效电路中的延迟：完全调节PNPBJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾出现。这种延迟引起了类饱和效应，使集电极/发射极电压不能立即下降到其VCE（sat）值。
3、散热条件：集电极电流拖尾时间的增长增大了IGBT模块的功耗，造成结温进一步升高，使电流的拖尾时间与模块结温形成正反馈。若散热条件不好，极易造成IGBT因过热而失效。