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Nandflash之MLC和SLC的区别

来源:懂视网 责编:小OO 时间:2024-10-24 22:16:37
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Nandflash之MLC和SLC的区别

一、优缺点不同;1、MLC:为了保证MLC的寿命,控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法,使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊,达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。2、SLC:复写次数高达100000次,比MLC闪存高10倍。二、特点不同;1、MLC:是容量大成本低,但是速度慢。2、SLC:成本高、容量小、速度快。三、架构不同;1、MLC:MLC的每个单元是2bit的,相对SLC来说整整多了一倍。不过,由于每个MLC存储单元中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率会增加,必须进行错误修正,这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。2、SLC:SLC架构可承受约10万次,是MLC的10倍。参考资料来源:百度百科-SLC MLC。
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导读一、优缺点不同;1、MLC:为了保证MLC的寿命,控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法,使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊,达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。2、SLC:复写次数高达100000次,比MLC闪存高10倍。二、特点不同;1、MLC:是容量大成本低,但是速度慢。2、SLC:成本高、容量小、速度快。三、架构不同;1、MLC:MLC的每个单元是2bit的,相对SLC来说整整多了一倍。不过,由于每个MLC存储单元中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率会增加,必须进行错误修正,这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。2、SLC:SLC架构可承受约10万次,是MLC的10倍。参考资料来源:百度百科-SLC MLC。

一、优缺点不同

1、MLC:为了保证MLC的寿命,控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法,使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊,达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。

2、SLC:复写次数高达100000次,比MLC闪存高10倍。

二、特点不同

1、MLC:是容量大成本低,但是速度慢。

2、SLC:成本高、容量小、速度快。


三、架构不同

1、MLC:MLC的每个单元是2bit的,相对SLC来说整整多了一倍。不过,由于每个MLC存储单元中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率会增加,必须进行错误修正,这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。

2、SLC:SLC架构可承受约10万次,是MLC的10倍。

参考资料来源:百度百科-SLC MLC

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Nandflash之MLC和SLC的区别

一、优缺点不同;1、MLC:为了保证MLC的寿命,控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法,使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊,达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。2、SLC:复写次数高达100000次,比MLC闪存高10倍。二、特点不同;1、MLC:是容量大成本低,但是速度慢。2、SLC:成本高、容量小、速度快。三、架构不同;1、MLC:MLC的每个单元是2bit的,相对SLC来说整整多了一倍。不过,由于每个MLC存储单元中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率会增加,必须进行错误修正,这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。2、SLC:SLC架构可承受约10万次,是MLC的10倍。参考资料来源:百度百科-SLC MLC。
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