类金刚石膜的制备方法和性能

重庆工学院学报(自然科学)

Journal o f Chongq i ng Instit ute o f T echno logy(N atura l Sc ience)

2009年6月Jun .2009

*

收稿日期:2009-01-24

基金项目:国家自然科学基金资助项目(60776004).

作者简介:李雪(1981 ),男,贵州黄平人,主要从事类金刚石膜研究.

类金刚石膜的制备方法和性能

*

李 雪

(绍兴文理学院物理与电子信息系,浙江绍兴 312000)

摘要:分析了类金刚石(DLC)膜的结构、性能及影响因素,对类金刚石膜的应用进行了阐述,并对DLC 的几种制备方法,包括物理气相沉积法、化学气相沉积(C V D )和等离子体增强化学气相沉积法进行了介绍.

关 键 词:类金刚石膜;制备方法;结构中图分类号:TB383.2 文献标识码:A

文章编号:1671-0924(2009)06-0165-07

Preparation M ethod and Perform ance of DLCF

LI Xue

(D epa rt m en t of Phy si cs ,E lectronics and Infor m ati on ,Shaox i ng U n i versity ,Shaox i ng 312000,Chi na)

Abst ract :This paper ana l y zes the str ucture ,perfor m ance and influential factors of d ia m ond li k e carbon (DLC )fil m ,

elaborates its application ,

and i n troduces the preparati o n m ethods o f DLC

i n clud i n g PCVD m et h od ,CCVD m ethod and p las m a streng thened CC VD.K ey w ords :DLCF ;structure ;perfor m ance 随着对金刚石的深入研究和广泛应用,对硬质碳素材料有了进一步的探索和需求,因此渴望找到一种可以替代金刚石的功能材料.自从1971年A isenberg 和Chabot [1]

第一次用碳的离子束沉积技术制备出具有金刚石特征非晶碳膜以后,全球范围内掀起了研究类金刚石薄膜的浪潮.类金刚石(DLC)膜可以使用多种方法在不同的基体材料上沉积,不但具有诸多与金刚石薄膜相似的性能

[2]

,包括硬度高、摩擦系数低、电阻率高、电绝缘

强度和热导率高、光学性能好(特别是红外和可见光波范围的透过率和光学折射率),而且还具有良好的化学稳定性和抗腐蚀能力,与金刚石比,其组成(sp 3

和sp 2

含量之比)可变,从而其性质在一定的范围内可调,能够用于较多场合.更重要的是,DLC 膜可在低温或接近室温的条件下制备,也就是可在较低成本下得到,从而为它的实际应用建立了一个良好的前提,这就决定了它是一种发展前途广泛的新型功能材料,在机械、电脑硬盘和光盘保护、光学、电子、声学、航空航天、医学及防腐领域等方面有着广泛的应用前景

[3-9]

.DLC 膜的

低温高速形成大面积光滑膜面,因而,类金刚石的研究在世界范围内受到广泛的重视,美国相关研究机构已经将类金刚石薄膜材料作为21世纪的战略材料之一.

1 DLC膜的结构特征

类金刚石具是非晶态结构,它以sp3键碳共价结合为主体,并混合有sp2键碳的远程无序立体网状结构[10],不同的制备方法得到的样品结构存在一定的差异.图1是由sp3、sp2和H成分组成的DLC三元相图[11].从图中可以看出,sp3态和H含量决定了DLC膜的形成和性能.图中ta C和ta C H的区域是含sp3键较多的区域,其膜的性能较好.当sp2相含量过高(左下角部分),DLC膜无法形成;而当H含量太高(右下角),也不能形成DLC相

.

图1 sp3,sp2和H成分组成的DLC三元相图

根据薄膜中碳原子的键合方式(C H,C C,

sp3,sp2等)及各种键合方式的比例不同,类金刚石

膜又有不同的称谓[2]:若膜中sp2含量较高,称为

非晶碳(a C)膜;若膜中含有相当数量的氢,则为

非晶碳氢(a C:H)膜;当sp3组分超过80%,则为

四面体非晶碳(ta C)膜.硬度超过金刚石硬度的

20%的绝缘无定形非晶碳膜均称为类金刚石膜.

表1[2]列出了一些经典碳材料的结构与性质.

表1 类金刚石膜、金刚石、石墨、C60、聚四氟乙烯的结构和性质比较

sp3/%H/%D ensity/g!c m-3D ap/e V H ardness/GP a

D ia m ond10003.51555100 G raph i te002.2670

C

60

001.6

G lassy C001.3 1.550.013 Ev aporated C001.90.4 0.73 Sputtered C502.20.5

ta C80-8803.12.580 a C:H hand4030-401.6-2.21.1-1.710-20 a C:H so ft6040-501.2-1.61.7-4<10 ta C:H70302.42.0-2.550 Po l ye t hy l ene100670.9260.01

2 DLC膜的性能研究及应用

类金刚石膜具有良好的力学性能、电学性能、光学性能,极高的硬度、电阻率、电绝缘强度和热导率、高红外透射性和光学折射率,以及良好的化学稳定性和生物相容性[12-13],因此而具有广泛的用途.

2.1 力学性能及应用

薄膜中sp3键与sp2键数量比是决定类金刚石薄膜硬度的主要因素,其值越大,硬度越高,因此,类金刚石膜具有可调节的高硬度[14],其硬度值上限接近金刚石的硬度(100GPa),达到95 GPa,而硬度下限值并没有严格要求.DLC膜的硬

166重庆工学院学报度与DLC结构有关,因此与制备方法有关.应用磁过滤阴极电弧法(FVC A)制备的DLC膜具有与金刚石膜相近的硬度;真空阴极电弧法(VCAD)制备的DLC膜硬度在HV5000以上;而磁控溅射法(M S)制备的DLC膜硬度较低(一般在HV2000以下).另外,沉积工艺和掺杂对DLC膜的硬度也有影响.适当的偏压、压强和气氛可不同程度地提高DLC膜的硬度.大部分实验表明掺杂使DLC膜的硬度有不同程度的下降,但M ich ler[15]等发现,Si 的掺入可以提高DLC膜的硬度.

DLC膜中一般存在较大的内应力(GPa量级).内应力不仅与DLC膜的结构、组份有关,还与成膜的工艺有很大关系.如在H DLC膜中,内应力与H含量有很大关系.Cheng等[16]在应用RF PECVD沉积DLC膜时发现,增大偏压可降低膜中的内应力.而在保持DLC膜高硬度的同时,掺入N,S i及某些金属元素可降低内应力.内应力对DLC膜与基底的结合性能有较大影响.在基底上直接沉积DLC膜,膜的结合力一般较差. W e iss m ante lC.[17]等人研究表明DLC膜越薄,膜与衬底的结合力越好.另外,通过在DLC膜与基底之间加入过渡层(软硬多层膜和梯度膜设计)也可增强膜的粘附性.如Raveh研究小组[18]用C r做过渡层,显著改善了膜与基底的结合状况;Ronkainen 等[19]发现不同的基底对过度层不同,在A l基底上用T i最佳,而在不锈钢和烧结碳化物上采用T i C 过度层最好.

由于DLC膜硬度很高,因而具有优异的耐磨性,而且其摩擦系数低,所以是一种优异的表面改性材料.在各种DLC膜中,含H使得薄膜表面被氢键饱和,因此含氢DLC膜具有超低的摩擦系数(<0.01).但H siao chu Tsa i等人[20]研究表明C 膜中H含量增加将增大磨损率.W e i O.研究小组[21]的大量实验证明掺金属的DLC膜可明显改善其耐磨性,这是由于金属粒子的加入在薄膜中形成分散的纳米颗粒.

正因为DLC膜具有如上优异的力学性能,因此得到了广泛的应用.DLC膜非常适合用于工具涂层.I B M公司近年来努力发展镀制DLC的微型钻头,用于线路板钻微细的孔[22].镀制了DLC膜的微型钻头在线路板钻孔时,钻孔速度提高50%,使用寿命增加5倍,钻头加工成本降低50%.日本在微电子工业精密冲剪模具的硬质合金基体上采用DLC/T,i S i涂层的专利技术,可提高模具寿命,并已推广应用.刘声雷等[23]将DLC膜用在了化工设备表面防腐方面.防腐实验结果表明:DLC膜对酸碱的防护能力强,具有很大的应用潜力.将奥氏体不锈钢表面经过渗碳处理,然后在渗碳表面镀制一层DLC膜可以明显改善不锈钢的摩擦性能和耐腐蚀性能,使其摩擦因数由原来的0.55减小并保持在0.20[24].利用DLC膜的硬度及抗化学腐蚀性,可以将其用作刀具及机械部件的保护涂层,如美国的G illette公司推出的镀有类金刚石膜的∀MAC H3#剃须刀片,利用DLC膜的耐磨和润滑特性,使剃须刀更加锋利.此外,由于DLC膜具有较低的摩擦系数,也可较好使用在高温、高真空等不适于液体润滑的情况下,以及没有清洁要求的环境中,这种性能满足航天及航空材料的要求[25]. 2.2 电学性能及应用

DLC膜的电阻率在105~1012 !㎝之间[26],不同方法制备的DLC膜的电阻率差异较大,一般含H的DLC膜比不含H的DLC膜电阻率高[20],这也许是氢稳定了sp3键的缘故.沉积方法对DLC 膜的电阻率也有影响,如N的掺入使sp2键增多,电阻率明显下降.金属掺杂会出现类似的结果.另外,基底偏压、温度、入射粒子的能量等条件都不同程度地会降低电阻率,而离子轰击会导致电阻出现一个最大值.DLC膜具有较低的电子亲和势,不含H的DLC膜的阀值为10~20V/ m.掺N或B后阀值明显降低[27].DLC膜的介电强度一般在105~107V/c m之间,介电常数一般在5~11之间,工艺参数对其有一定影响.

近年来,类金刚石膜在微电子领域的应用逐渐成为热点.将类金刚石膜用着光刻电路板的掩模,不仅可以防止操作过程中反复接触造成的机械损伤,而且还允许用较激烈的机械或化学腐蚀方法去除薄膜表面污染物,同时不对薄膜的表面本身造成破坏.所以类金刚石膜可以在超大规模集成电路(ULS I)的制造上发挥优势.

由于DLC膜有较低的电子亲和势,电子容易

167

李 雪:类金刚石膜的制备方法和性能发射,可用于制作场发射平面显示器(FED),并有可能成为新一代性能优良的显示器件[22].含DLC 膜的FED称为钻石场发射平面显示器(DFED).从几种电子显示器的比较可以发现,DFED,FED 比目前流行的LCD为优,除成本比LCD低出50%外,还具有视野广,厚度薄,重量轻,面积大,适用温度范围广,省电节能,寿命长,清晰度高,电光效率高(为CRT的10倍,LCD的25倍)等优点,在21世纪将可能发展成为主流显示器.

2.3 光学性能及应用

类金刚石膜具有良好的光学特性,比如其折射率一般在1.5~2.3之间,其光隙带隙E0一般低于2.7e V,且随着膜中sp3含量增多而增大,使DLC膜在可见及近红外区有很高的透过率.E0对沉积方法和工艺参数都比较敏感.如用磁控溅射制备的DLC膜随着溅射功率增大而E0降低.用ERC-CVD制备DLC膜时,随着沉积气压的升高, E0增大.掺杂和回火工艺对E0的影响都是先增大后减少,存在一个适宜的范围.

类金刚石膜最引人注目的光学性质是其红外增透保护特性,即它不仅具有红外增透作用,又有保护基底材料的功能,即与常见的ZnS,ZnSe等红外材料相比,具有机械强度高和耐腐蚀的优点.类金刚石膜与硅、锗、石英等材料的折射率能较好地匹配,且与这些材料的附着性能好,可用于光学仪器和红外窗口的增透保护.由于类金刚石膜具有优越光学性能(在红外范围内透明,同时具备高硬度、耐磨损等性能),因此类金刚石膜可作为红外区的增透和保护膜.在铝基片表面分别沉积不同厚度的单层类金刚石膜、硅及锗涂层后,通过比较各自的性能发现单层类金刚石膜的光热转换效率最高.由于类金刚石膜具有良好的光学透过性和适于在低温沉积的特点,因此可作为由塑料和碳酸脂等低熔点材料组成的光学透镜表面的抗磨损保护层.此外,类金刚石膜光学带隙范围宽,室温下光致发光和电致发光率高,有可能在整个可见光范围发光,这些特点都使它成为性能极佳的发光材料之一.

2.4 其他性能及应用

DLC膜的表面能较低,氟(F)的掺入会进一步降低其表面能,含F的DLC膜具有良好的抗氧化性、良好的生物学摩擦特性、高的疏水性和好的生物相容性.热稳定性差是DLC膜的致命缺陷,掺杂和梯度膜可以明显改善DLC膜的热稳定性,但是掺F会降低DLC膜的稳定性.

由于DLC膜的优异性能,其在生物、医学及航空航天等领域还有着广泛的应用[28-29].比如,在用于骨科内固定机械的T i-N i形状记忆合金上镀DLC碳膜,使其具有良好的抗氧化性以良好的生物学摩擦特性;在人造牙根上镀制DLC碳膜可以改善其生物相容性;在制造人工心脏瓣膜用的不锈钢或钛合金表面沉积了DLC膜的涂层能同时满足机械性能、耐腐蚀性能和生物相容性要求,从而提高了这些部件的使用性能,能减轻患者的痛苦.类金刚石膜作为耐磨硬质膜在太空中的应用研究也已经展开,由于其摩擦因数低,可较好地使用在高温、高真空等不适于液体润滑的情况,以及有清洁要求的环境中.欧洲空间中心摩擦实验室于1990年在评价了空间使用的各种固体材料之后推荐类金刚石薄膜作为未来的空间润滑摩擦表面的涂层.

3 DLC膜制备方法简介

近年来,DLC膜的制备工艺发展迅速,已经开发出多种制备方法.这些方法大体分为两大类:物理气相沉积法(physical vapo r deposition简称PVD)、化学气相沉积法(che m ica l vapor depositi o n 简称CVD)及等离子增强化学气相沉积法(PECVD).另外有机溶剂电解和聚合物热解是近年来出现的新方法.

3.1 物理气相沉积法

3.1.1 真空蒸发.典型的真空蒸发(vacuum evaporation)[19]方法有电阻加热蒸发、感应加热蒸发、电子束蒸发、激光熔融蒸发、弧光蒸发和射频加热蒸发等.真空蒸发方法是薄膜制备中最为广泛使用的技术,具有简单便利、操作容易、成膜速度快、效率高等优点,但形成的薄膜与基片结合较差,工艺重复性不好,绕镀性差.

3.1.2 离子镀.离子镀技术包括空心阴极离子

168重庆工学院学报

镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀等,其突出特点是把各种气体放电引入气相沉积,使得整个沉积过程都在等离子体中进行,大大提高了粒子能量.离子镀的成膜速度快,膜基结合力好,膜层的绕镀性好,可以在较低温度下进行沉积.如A isenberg 等人

[2]

利用这种技术首次在室温下沉积出了DLC 膜.磁过滤阴极真空弧沉积(FCVA )技术采用磁过滤线圈过滤掉弧源产生的大颗粒和中性原子,使到达衬底的几乎全部是碳离子,可以用较高的沉积速率制备出无氢DLC 膜.研究结果表明采用FCVA 技术可以获得sp 3

键含量高达90%、硬度高达95GPa 的无氢碳膜[30],其性质与多晶金刚石材

料相近.图2

[31-32]

是部分技术的原理图

.

图2 各种离子镀技术

3.1.3 溅射镀.溅射镀是利用辉光放电、阴极溅射原理进行镀膜的.磁控溅射方法是通过直流或者射频方式利用氩离子(Ar)溅射石墨电极,溅射出的碳原子的能量分布依溅射离子的能量和种类而不同.该法的优点是沉积温度较低、设备简单、沉积面积大,可以沉积高阻膜和绝缘膜,但沉积速

率低,不能克服基体过热的缺点.Christo phe [33]

等用直流磁控溅射法沉积的DLC 膜,硬度高达5390

~7350N /mm.图3[31-32]

是直流磁控溅射和射频磁控溅射的原理图.根据磁场设置又可分为平衡和非平衡磁控溅射

.

图3 直流磁控溅射(左)、射频磁控(右)示意图

3.2 化学气相沉积(C VD)法和等离子体增强化

学气相沉积(PECVD )法

化学气相沉积是一种化学相反应生长法.是将几种化合物或单质反应气体通入反应腔中,在气固界面进行分解、解吸、化合反应生成均匀一致的固体膜.化学气相沉积主要的方法有:常压、低压下的高低温化学气相沉积、金属有机化学气相

沉积(MOCVD )、等离子体辅助化学气相沉积(P VCD)和激光化学气相沉积(LCVD)等.而最主要的是等离子体辅助化学气相沉积.近年来出现的新技术主要有以下几种:3.2.1 直流辉光放电等离子体增强化学气相沉

169

李 雪:类金刚石膜的制备方法和性能

积(DC PECVD ).该方法原理如图4[31-32]

左所示.DC PEC VD 是用直流辉光放电分解碳氢气体,再沉积到基底上形成DLC 膜.该方法设计简单,操作

方便,成膜面积大,便于工业化生产.W h it m ell

[34]

等首次报道用甲烷气体辉光放电产生等离子,在直流阴极板上沉积成膜,但膜的厚度小,速率低.

梁风等[35]

用灯丝发射电子增强DC PECVD,沉积出性能优异DLC 膜

.

图4 直流辉光放电(左)、射频辉光放电(右)

3.2.2 射频辉光放电等离子体增强化学气相沉

积(RF PEC VD).该方法原理如图5所示,通过射频放电分解碳氢气体,再沉积到基体上形成DLC 膜.它又分为电感式和电容式两类,目前最常用的是电容式.此法具有沉积温度低、成膜质量好、速

度快等优点.N yaiesh [36]

等利用2套的RF 电源,一套用于分解反应气体,一套用于工件偏压,获得了20nm /m in 的较高沉积速率.3.2.3 电子回旋共振化学气相沉积(ECR CVD ).该方法原理是微波能量通过波导管进入沉积室内,磁场大小正好使电子圆周运动的频率与微波频率相同,引起电子回旋共振.此时反应气体的离

化率和分解率较高.K ang [37]

等人用一个适当的负偏压进一步改善了ECR C VD 沉积膜的性能.

近年来出现的化学沉积方法诸如双射频辉光放电法(RF RF)、射频 直流法(RF DC )、微波-射频法(MW R I)和有热丝辅助的其他方法.此外,有机溶液热解、聚合物热解等方法也是最近出现的方法,具有一定特色.

4 结束语

DLC 膜具有类似金刚石的力、热、光、电及生

物和化学性能,人工制备加工相对容易,因而在工业化生产和应用方面比金刚石先进一步,前景十分看好.在实际应用中,DLC 膜的性能和结构还存在不同程度的缺陷.近年来,人们正在通过掺杂、制备多层膜、复合膜及梯度膜等工艺来改善其综合性能,已经获得了一定的进展.DLC 的光电特性

和力学性能,可通过调整sp 3/sp 2

键的比例进行控制.相信不久的将来,DLC 膜作为一种新型结构材料和功能材料,将在多个领域得到更广泛的应用

参考文献:

[1] A i seuberg S ,Chabot S .Th i n F il m s o f D ia m ond L i ke Carbon[J].A pp l Phys Le tt ,1971,48:2953-2958.[2] R obertson J .D i amond li ke a m orphous carbon [J].

M ater i a ls Sc ience and Eng ineer i ng R,2002,37:

129-281.

[3] R i cka rd G,M a ts L,P er H.M E C:H coati ngs i n m otor

veh icles[J].W ear ,2001,249:302-309.[4] M an fred S .DLC based w ear pro tecti on on m agne ti c

storage m edia [J].D ia m ond and R e l a ted M a teria l s ,2002(11):1781-1787.[5] Sm ietana M,Sz m i dt J ,Dudek M ,et a1.O pti cal

properties of dia mond li ke claddi ng for opti ca l fi bres [J].D ia m ond and R e l atedM ater i a ls ,2004(l3):954-957.

[6] G r ill A.Am orphous carbon based m ate rials as t he

i nterconnec t dielectr ic in U LSI chips[J].D ia m ond and R elated M ater i a ls ,2001(10):234-239.

[7] Luc i a V S ,V lad i m ir J T rava A irold,i Evaldo J C ,et a1.DLC co l d we l d i ng prev enti on fil m s on a T i 6A14V all

oy fo r

space

applicati ons [J ].

Sur face &Coati ng s

T echno l ogy ,2006,200:2587-2593.[8] Cheng T zu K uo .G row th of t he large a rea hor izonta ll y

a li gned ca rbon nano t ubes by ECR CVD [J].T h i n So li d F il m s ,2002(420/421):225-229.

[9] Cheng T zu K uo .T ube number density contro l of

carbon nano t ubes on anodic a l um i nu m ox i de te m plate

[J].D ia m ond&R e latedM ate rials,2005(14):804-809.

[10]李芳,刘东平,甲翠英.C :H 薄膜组成及结构[J].真空与低温,2001,7(2):76-79.[11]Jacob W,

M o ller W.

O n t he structure o f thi n

hydrocarbon fil m s [J ].A pp1Phys Le tt ,

1993

170

重庆工学院学报

(63):1771.

[12]贺亚敏,黄培林,吕晓迎.新型生物医学材料 类

金刚石膜的研究进展[J].国外医学:生物医学工程

分册,2002(2):25.

[13]李伯刚,康云清,尹光福,等.类金刚石薄膜成分变化

对蛋白吸附的影响[J].生物医学工程学杂志,2004,

21(2):193.

[14]S i eg m und L.B i o log i ca l Am phiph iles m icrob i a l

b i osurfactants[J].Current O p i n i on Interface Sc,i2002

(7):12-20.

[15]K ola P V.M agnetron sputte red ca rbon n itr i de(CN

x

) fil m s[J].Surf Coat T echno l,1995(696):74-75.

[16]Cheng Y.Infl uence of deposition param eters on the

i n ternal stress i n a C:H fil m s[J].surf Coat T echno l,

1999(111):141-147.

[17]W e iss m ante l C.P reparati on and properties o f hard i C

and i BN coati ngs[J].Th i n So lid F il m,1982

(96):31.

[18]R aveh A.M echan ica l and tri bo l og ical prope rti es o f

dua l frequency p l as m a depos ited d i amond li ke carbon

[J].Surf Coat T echno l,1993(58):45.

[19]R onka i nen H.I m provement o f a C:H fil m adhesion by

i n ter m ed i a te layers and sputter c l eaning procedures on

sta i n l ess stee,l a l u m i na and ce m ented carb i de[J].Surf

Coat T echno l,1997(90):190.

[20]H siao chu T sa.i Character izati on of d i amond like carbon

fil m s and t he ir appli cation as overcoa ts on t h i n fil m

m ed i a for magneti c reco rd i ng[J].J V ac Sc i T echno l,

1987,A5(6):3287.

[21]W e iQ.I mprov e m ent of w ear resistance of pulsed laser

deposited dia m ond li ke carbon fil m s through

i ncorporation o fm eta ls[J].M ater Sci Eng,1998,B53

(3):262.

[22]戴达煌,周克崧.金刚石薄膜沉积制备工艺与应用

[M].北京:冶金工业出版社,2001.

[23]刘声雷,郑惟彬.DLC膜化工设备防腐材料的研究

[J].安徽化工,1996,102(6):32.

[24]U eda N,Y a m auchi N,Sone T,et a.l DLC fil m coati ng

on plas m a carbur i zed austenitic sta i n l ess stee l[J].Surf

Coat T echno,l2007,201:5487.

[25]张敏,程发良,姚海军.类金刚石膜的性质和制备及

应用[J].表面技术,2006,35(2):4.

[26]邓洁,吴正龙.类金刚石膜的性质及应用[J].现代

科学仪器,2007(3):101-103.

[27]N atarajan V."D ia m ondli ke''carbon fil m s:Optical

abso rpti on,dielectr ic properties,and hardness

dependence on deposition pa rame ters[J].J V ac Sci

T echno l,1985,A3(3):681.

[28]吴玲玲.钛镍合金上制备类金刚石薄膜的性能研究

[J].表面技术,2005(2):30 31.

[29]刘成龙,杨大智,邓新绿,等.医用不锈钢表面沉积类

金刚石薄膜的电化学腐蚀性能研究[J].硅酸盐学

报,2005,33(5):559-563.

[30]Bro w n L M.D ens it y,sp3content and i nternal layeri ng

of DLC fil m s by X ray re fl ectiv it y and e lectron ene rgy

l oss spectroscopy[J].D i amond and R e l a ted M ate rials,

2000(9):771-776.

[31]张碧云,曲燕青,谢红梅,等.类金刚石膜的制备技

术及应用领域概况[J].表面技术,2007(36):

70-73.

[32]王福贞,马文存.气相沉积应用技术[M].北京:机

械工业出版社,2003.

[33]Christophe W,R ene G,L ouis L.P roperties of

a m orphous carbon fil m s produced by magnetron

sputtering[J].T h i n So lid F il m s,1984(122):

203-206.

[34]W h it m e ll D S,W illia m son R.The depos iti on o f hard

surface layers by hydro carbon cracking i n a g lo w

d ischarge[J].T h i n So li d F il m s,1976(35):

255-261.

[35]梁风,严学俭.类金刚石膜的性质、应用及制备[J].

物理学报,1999,48:1095-1102.

[36]N ya i esh A R.N e w R adiofrequency T echnique for

D epositi on of H ard Carbon F il m s[J].J V ac Sci

T echno,l1985,A3:610.

[37]K ang D H.Eva l uati on o f the i on bo m bard m ent ene rgy

for g row i ng dia m ondli ke carbon fil ms i n an e lectron

cy clotron resonance plas m a enhanced che m ica l vapor

depos i tion[J].J V ac Sc iT echno l,1998:A16:2625.

(责任编辑 刘 舸)

171

李 雪:类金刚石膜的制备方法和性能