
1.容易理解。
2.重掺杂会加大表面复合
3.容易理解
4.烧结不好引起欧姆接触不好,致使串联电阻增大
1. 方块电阻不均匀,结深高低不一致,烧结Ag电极渗透中,有的地方接触不好,有的地方可能过烧
2. 即掺杂太少
3.
1.
2.扩散方块电阻偏高,即扩散掺杂浓度低,导致内建电场偏低,耗尽区电阻变小
3. 未完全刻蚀必然导致边缘漏电,容易理解;过度刻蚀导致并联电阻降低,是因为PN结所占的横截面积变小,所以耗尽层总电阻变小。
4. 铝浆在N区的扩散会破环PN结,因为它是受主杂质。正面滴落的铝浆,有可能在烧结过程中扩散穿过PN结,导致PN结被破环发生短路。如果硅片边缘附有漏浆,可直接引起边缘漏电。
5. 烧结温度太高,可导致Ag的扩散太大,以致穿过PN结,直接导致短路
