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四探针法测量材料的电阻率和电导率

来源:动视网 责编:小OO 时间:2025-09-29 23:23:26
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四探针法测量材料的电阻率和电导率

实验七:四探针法测量材料的电阻率和电导率ID:20110010020[实验目的]:1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理;2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法;3、能对给定的物质进行实验,并对实验结果进行分析、处理。[实验原理]:单晶硅体电阻率的测量测试原理:直流四探针法测试原理简介如下:当1、2、3、4根金属探针排成直线时,并以一定的压力压在半导体材料上,在1、4两处探针间通过电流I,则2、3探针间产生电位差V。式中C为探针系数,由探针几何位置、样品厚度和尺寸决定,通常表示为式中:
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导读实验七:四探针法测量材料的电阻率和电导率ID:20110010020[实验目的]:1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理;2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法;3、能对给定的物质进行实验,并对实验结果进行分析、处理。[实验原理]:单晶硅体电阻率的测量测试原理:直流四探针法测试原理简介如下:当1、2、3、4根金属探针排成直线时,并以一定的压力压在半导体材料上,在1、4两处探针间通过电流I,则2、3探针间产生电位差V。式中C为探针系数,由探针几何位置、样品厚度和尺寸决定,通常表示为式中:
实验七:四探针法测量材料的电阻率和电导率

ID: 20110010020

[实验目的]:

1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理;

2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法;

3、能对给定的物质进行实验,并对实验结果进行分析、处理。

[实验原理]:

单晶硅体电阻率的测量测试原理:直流四探针法测试原理简介如下:

当1、2、3、4根金属探针排成直线时,并以一定的压力压在半导体材料上,在1、4两处探针间通过电流I,则2、3探针间产生电位差V。

式中C为探针系数,由探针几何位置、样品厚度和尺寸决定,通常表示为

式中:F(W S)、F(D/S)、Fsp分别样品厚度修正因子、直径修正因子、探针间距修正系数(四探针头合格证上的F值)。W:片厚,D:片径,S:探针间距。

[实验装置]:

使用RTS-4型四探针测试仪

1、电气部分:

过DC-DC变换器将直流电转换成高频电流,由恒流源电路产生的高频稳定恒定直

流电流其量程为0.1mA、1mA、10 mA、100 mA;数值连续可调,输送到1、4探针上,在样品上产生电位差,此直流电压信号由2、3探针输送到电气箱内。再由高灵敏,高输入阻抗的直流放大器中将直流信号放大(放大量程有0.763、7.63、76.3)。放大倍数可自动也可人工选择,放大结果通过A/D转换送入计算机显示出来。RTS-4型四探针测试仪框图如下所示。

 2。测试架

探头及压力传动机构、样品台构成,见图3所示,探头采用精密加工,内有弹簧加力装置,测试需要对基片厚度进行测量,以便对探头升降高度进行。

图3 测试架结构图

[实验内容]:

一、测试准备:将220V电源插入电源插座,开机后等十分钟在进行测量。

1. 利用标样学习测试参数确定:进入系统,打开主界面。

①选择参数:选择测试类别(如薄圆片还是棒材电阻率等);

②输入参数:片厚(mm);直径;选择电流量程。

③试测量,记录测试结果。

2. 与标准样品参数比较

按照已知条件标准样品在环境温度23℃时,电阻率为:0.924Ω *cm(中

心点),与测量结果对比,说明产生差别的原因。

二、样品测量:将待测样品放在探针下部,按上面选择测量参量,输入被测样品的厚度、直径、电流量程,点击测试测量键,开始测量,记录测试结果。

注:测量过程中不要移动探针和样品。同一样品重复测量3次,将三次测量得的电阻率值取平均,即为样品的平均电阻率值。将结果记录在表格。

电阻
Ρ1(Ω *cm)

Ρ2(Ω *cm)

Ρ3(Ω *cm)

平均值
单晶硅薄圆片2.492.512.482.49
方块ITO导电玻璃

12.8312.8712.7712.82
石墨棒2.6mΩ

2.7mΩ

2.6mΩ

2.63mΩ

指导教师签字:

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四探针法测量材料的电阻率和电导率

实验七:四探针法测量材料的电阻率和电导率ID:20110010020[实验目的]:1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理;2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法;3、能对给定的物质进行实验,并对实验结果进行分析、处理。[实验原理]:单晶硅体电阻率的测量测试原理:直流四探针法测试原理简介如下:当1、2、3、4根金属探针排成直线时,并以一定的压力压在半导体材料上,在1、4两处探针间通过电流I,则2、3探针间产生电位差V。式中C为探针系数,由探针几何位置、样品厚度和尺寸决定,通常表示为式中:
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